講演名 1993/6/25
アバランシェフォトダイオードの電荷蓄積動作
安藤 隆男, 安田 実, 澤田 和明,
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抄録(和) アバランシェフォトダイオード(APD)は利得が強い電界依存性をもつために撮像素子に固有な電荷蓄績動作の基では、通常のフォトダイオードには見られない特異な現象が生じる.本報告は、APDの電荷蓄績動作を簡単な動作モデルを用いて解析し、アバランシェ増倍の増加につれて光電変換特性の傾きγが0.5に減少するこやAPDアレイの増倍利得のばらつきが出力のばらつきに与える影響を著しく減少できること等を示した.さらに、APDの利得に対する過剰雑音の増加を示す実効的過剰雑音係数が1以下になる動作条件が存在することを示し、その機構は蓄積時間中に生じるAPDの利得の自己抑制効果、即ち過剰電荷の発生が次に生じる電荷の発生を抑制する負帰還効果によることを示した.
抄録(英) Some properties of avalanche multiplication photodiodes(APD) operated in a charge integration mode are studied.From the simple analytical model or experiment,as the multiplication gain is increased,the reduction of slope,γ of the photoelectric transfer c haracteristics and of the scattering of the photoresponse in the APD array is verified.Moreover,it is found that low noise amplification of the photo-generated carriers in the APD can be expected due to the self-quenching effect in the multiplication gain of the APD caused from the charge integration operation. Consequently,the use of the APD as a photoelectic conversion element is desirable to realize the highly sensitive imaging sensors with a wide dynamic range.
キーワード(和) 固体撮像素子 / 増幅型撮像素子 / 電荷蓄績動作 / アバランシェフォトダイオード / アバランシェ増倍 / 過剰雑音
キーワード(英) solid-state imager / active pixei imager / avalanche multipication / charge integrating mode operation / avalanche photodiode / excess noise
資料番号 EID93-9,IE93-25
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 1993/6/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 JPN
タイトル(和) アバランシェフォトダイオードの電荷蓄積動作
サブタイトル(和)
タイトル(英) Some properties of avalanche photodiodes operated in a charge storage mode.
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 固体撮像素子 / solid-state imager
キーワード(2)(和/英) 増幅型撮像素子 / active pixei imager
キーワード(3)(和/英) 電荷蓄績動作 / avalanche multipication
キーワード(4)(和/英) アバランシェフォトダイオード / charge integrating mode operation
キーワード(5)(和/英) アバランシェ増倍 / avalanche photodiode
キーワード(6)(和/英) 過剰雑音 / excess noise
第 1 著者 氏名(和/英) 安藤 隆男 / Takao Ando
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research,Institute of Electronics,Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 安田 実 / Minoru Yasuda
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research,Institute of Electronics,Shizuoka University
第 3 著者 氏名(和/英) 澤田 和明 / Kazuaki Sawada
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research,Institute of Electronics,Shizuoka University
発表年月日 1993/6/25
資料番号 EID93-9,IE93-25
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 108
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日