| 講演名 | 1995/6/22 p形CdS薄膜作成の試みと光電変換デバイスへの応用 柏葉 安兵衛, 大橋 忍, 相馬 徹, 太田 康治, 菊地 新司, 池田 俊夫, |
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| 抄録(和) | Cuのドーピングによって、p形特性を示すCdS膜を作ることができた。Cu薄膜上に200℃でCdSを蒸着すると、CuはCdS膜に容易に拡散した。膜は、ゼーベック係数、ホール係数などからP形であると判断された。膜のX線回折、透過特性からは、Cu_2Sのようなp形物質を検出できなかった。また、ホトルミネッセンスは、浅いアクセプタレベルが生じている可能性を示した。CdS(Cu)/CdS接合ダイオードは、良い整流性を示したが、再結合中心が支配的な特性であった。77Kで順方向に大電流を通じると、弱い緑青色の発光があった。光起電池としては6～7%の変換効率を示した。CdS(Cu)/CdSe光起電池の応答スペクトルは、CdSとCdSeの吸収端の間であった。いずれの素子の特性にもp形Cu_2Sの影響は認められなかった。 |
| 抄録(英) | p-type CdS films were fabricated by the doping of Cu. Cu diffused easily into CdS film when CdS was deposited on a Cu film at 200℃. The Seebeck coefficient, Hall coefficient etc. showed p-type characteristics. The layers of copper compounds such as p-type Cu_2S have not been observed by the X-ray diffrac-tion and optical absorption. The photoluminescence spectra suggest the formation of shallow levels of the acceptor. CdS(Cu)/CdS junction cells showed a good rectification and photovoltaic effects, and emitted the weak blue-green light under large forward current density at 77K. The response of CdS(Cu)/CdSe junction cells broadened out into absorption edge of CdSe. No evidence of the presence of p-type Cu_2S was detected in the characteristics of the cells. |
| キーワード(和) | CdS薄膜 / Cuドーピング / P形 / ホトルミネッセンス / pn接合 / 光起電池 / LED |
| キーワード(英) | CdS film / Cu doping / p-type / photoluminescence / pn junction / photovoltaic cell / LED |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1995/6/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p形CdS薄膜作成の試みと光電変換デバイスへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of p-type CdS Thin Films and Application for the Photonic Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CdS薄膜 / CdS film |
| キーワード(2)（和/英） | Cuドーピング / Cu doping |
| キーワード(3)（和/英） | P形 / p-type |
| キーワード(4)（和/英） | ホトルミネッセンス / photoluminescence |
| キーワード(5)（和/英） | pn接合 / pn junction |
| キーワード(6)（和/英） | 光起電池 / photovoltaic cell |
| キーワード(7)（和/英） | LED / LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 柏葉 安兵衛 / Y. Kashiwaba |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Iwate University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大橋 忍 / S. Ohashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Iwate University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 相馬 徹 / T. Sohma |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Iwate University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 太田 康治 / K. Ohta |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Iwate University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 菊地 新司 / S. Kikuchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Iwate University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 池田 俊夫 / T. Ikeda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 一関工業高等専門学校 Ichinoseki National College of Technology |
| 発表年月日 | 1995/6/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 114 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |