| 講演名 | 1995/10/23 THE FABRICATION OF HIGH PERFORMANCE POLYCRYSTALLINE-SILICON THIN-FILM TRANSISTOR , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | To reduce the leakage current of thin film transistors, we did post-oxidation after gate polysilicon patterning. This post-oxidation makes structural change of gate poly-silicon. It reduces the leakage current with negligible reduction of on-current. The characteristics of thin film transistor(TFT) wad measured for various lengths of lightly-doped drain(LDD) region. This new device structure of TFT shows more stable off-current as increasing the source-drain voltages than that of conventional TFT. This reduction of leakage current was attributed to the reduction of drain junction field. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR / LEAKAGE CURRENT / BENT GATE / LDD(Lightly Doped Drain) |
| 資料番号 | EID95-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1995/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | THE FABRICATION OF HIGH PERFORMANCE POLYCRYSTALLINE-SILICON THIN-FILM TRANSISTOR |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / J.H. Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Samsung Electronics Co.. |
| 発表年月日 | 1995/10/23 |
| 資料番号 | EID95-40 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 335 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |