| 講演名 | 1998/1/29 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察 小南 裕子, 堀河 敬司, 青木 徹, 中村 高遠, 中西 洋一郎, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | ゾルーゲル法によりIn[OCH(CH_3)_2]_3を用いて、CRT用蛍光体 (ZnS:Ag, Cl, ZnS:Cu, Al, Y_2O_2S:Eu) の表面にIn_2O_3層を形成させ低速電子線励起における発光特性の変化について調べた。その結果、被覆量の変化に伴い発光特性が著しく変化することが確認された。被覆した蛍光体の表面の抵抗率を求めたところ、被覆量の増加に伴い抵抗率が大幅に減少し、その結果、低速電子線励起時の蛍光体表面の帯電が改善されることが示された。また真空度を変えて電子線照射後の輝度劣化特性を測定したところ、真空度が高いほど輝度劣化が抑制されることがわかった。蛍光体表面の表面電位を理論的に考察することを前提とし、蛍光体への入射電子量の測定を金属電極を用いて行った。その結果、蛍光体の入射電子量は金属に比べて約50%であった。 |
| 抄録(英) | Low voltage cathodoluminescent properties of the CRT phosphors (ZnS:Ag, Cl, ZnS:Cu, Al, and Y_2O_2S:Eu) coated with In_2O_3 conducting layer using In[OCH(CH_3)_2]_3 by the sol-gel method were investigated. It was found that the cathodoluminescent properties were changed extremely according to the variation of the coating thickness. In proportion as the In[OCH(CH_3)_2]_3 increase, the resistivity of the coated phosphor was decreased significantly. The charging-up on the phosphor surface irradiated by low acceleration voltage is suppressed to some extent. The deterioration of the coated phosphors is suppressed by further applying high vacuum. The number of incident electrons to the sample was evaluated as about 50% of that to metal electrode. |
| キーワード(和) | 低速電子線励起発光 / CRT用蛍光体 / ゾルーゲル法 / In_2O_3 / 最適被覆条件 |
| キーワード(英) | Low voltage CL / CRT phosphors / Sol-gel method / In_2O_3 / Optimum condition |
| 資料番号 | EID97-86 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1998/1/29(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Low Voltage Cathodoluminescence and Layer Thickness of Conducting-Layer-Coated Phosphors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低速電子線励起発光 / Low voltage CL |
| キーワード(2)（和/英） | CRT用蛍光体 / CRT phosphors |
| キーワード(3)（和/英） | ゾルーゲル法 / Sol-gel method |
| キーワード(4)（和/英） | In_2O_3 / In_2O_3 |
| キーワード(5)（和/英） | 最適被覆条件 / Optimum condition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小南 裕子 / H. Kominami |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀河 敬司 / K. Horikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / T. Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中村 高遠 / T. Nakamura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学 工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Y. Nakanishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子科学研究科:静岡大学 電子工学研究所 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University:Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Y. Hatanaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子科学研究科:静岡大学 電子工学研究所 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University:Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1998/1/29 |
| 資料番号 | EID97-86 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 519 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |