講演名 | 1997/7/4 II族元素の添加によるSrS:Ce薄膜EL素子のEL特性の改善 遠藤 利和, 原田 光徳, 近藤 哲朗, Peter Manuela, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志, |
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抄録(和) | Sr欠陥の補償を目的として, II族元素を添加したSrS:Ce薄膜を作製した. Zn, Cdを添加したSrS:Ce薄膜EL素子は青色の色純度が改善され, 空間電荷の形成が抑制され, 電流スパイクの減少が見られた. しかし, 移動電荷も減少し, 輝度が低下した. 移動電荷量とCe添加量を増加させるために, ZnSバッファ層と電荷補償剤として, Naを添加した. SrS(Zn):Ce,NaのEL素子を作製した. その結果, 1kHz駆動において, 輝度1000(cd/m^2), 発光効率0.8(lm/W)が得られた. |
抄録(英) | To compensate Sr vacancies, divalent transition elements such as Zn and Cd were doped for SrS:Ce thin film electroluminescent (TFEL) devices. By Zn or Cd doping, EL emission spectra sift to blue region. Current spike, which results from a generation of a space charge in the SrS:Ce phosphor layer, is also reduced. However, a conduction charge and the EL luminance is decreased by the Zn or Cd doping. To increase a conduction charge and a luminance, Na doped SrS:Ce TFEL devices having ZnS buffer layers were prepared. The devices show a luminance of 1000 cd/m^2 and EL efficiency of 0.8 lm/W at 1 kHz. |
キーワード(和) | 薄膜EL素子 / SrS:Ce / Zn,Cdドーピング / Na電荷補償剤 / ZnSバッファ層 |
キーワード(英) | Thin-film EL device / SrS:Ce / Zn,Cd doping / Na charge compensator / ZnS buffer layer |
資料番号 | EID97-28 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | EID |
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開催期間 | 1997/7/4(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | II族元素の添加によるSrS:Ce薄膜EL素子のEL特性の改善 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Improvement in electroluminescent characteristics of SrS:Ce thin-film devices by doping of divalent elements |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 薄膜EL素子 / Thin-film EL device |
キーワード(2)(和/英) | SrS:Ce / SrS:Ce |
キーワード(3)(和/英) | Zn,Cdドーピング / Zn,Cd doping |
キーワード(4)(和/英) | Na電荷補償剤 / Na charge compensator |
キーワード(5)(和/英) | ZnSバッファ層 / ZnS buffer layer |
第 1 著者 氏名(和/英) | 遠藤 利和 / Toshikazu Endo |
第 1 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 原田 光徳 / Mitsunori Harada |
第 2 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 近藤 哲朗 / Tetsuro Kondo |
第 3 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University |
第 4 著者 氏名(和/英) | Peter Manuela / Manuela Peter |
第 4 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 大観 光徳 / Koutoku Ohmi |
第 5 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 田中 省作 / Shosaku Tanaka |
第 6 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University |
第 7 著者 氏名(和/英) | 小林 洋志 / Hiroshi Kobayashi |
第 7 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University |
発表年月日 | 1997/7/4 |
資料番号 | EID97-28 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 155 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |