| 講演名 | 1996/7/25 MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ 金丸 正剛, 平野 貴之, 小澤 健, 安室 千晃, 田上 尚男, 伊藤 順司, |
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| 抄録(和) | 電界放射型電子エミッタは,フラットパネルディスプレイなどへのデバイス応用が期待されているが,エミッタからの放出電流が時間的に変動することが実用化の妨げとなっている.我々は,P型およびn/P接合型のシリコン電界放射型電子エミッタのエミッション特性を詳細に検討して得られたエミッションモデルを基にして,電子エミッタの内部にMOSトランジスタ構造を作りつけた新しいエミッタを考案・製作し,このトランジスタの電流制御機能を利用して放出電流を安定化することに成功した. |
| 抄録(英) | We have investigated the emission mechanism of p-type and n/p-type silicon field emitter arrays(FEAs)and we have obtained the model for carrier flows, in which the emission current is limited by the supply of electrons both from the depletion layers near emitter tips and from the inversion layers under the gate electrodes. Based on the model, we have proposed a new current-controllable silicon FEA incorporating a metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor structure (MOSFET-structured silicon FEA). The fabricated device exhibits a remarkable stability of emission currents, compared with a conventional n-type silicon FEA. |
| キーワード(和) | 電界放射エミッタ / 電子源 / MOSトランジスタ / エミッション特性 / シリコン |
| キーワード(英) | Field Emitter Array / Electron Source / MOS Transistor / Emission Characteristics / Silicon |
| 資料番号 | EID96-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1996/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOS Transistor-Structured Field Emitter Arrays |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界放射エミッタ / Field Emitter Array |
| キーワード(2)（和/英） | 電子源 / Electron Source |
| キーワード(3)（和/英） | MOSトランジスタ / MOS Transistor |
| キーワード(4)（和/英） | エミッション特性 / Emission Characteristics |
| キーワード(5)（和/英） | シリコン / Silicon |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金丸 正剛 / S. Kanemaru |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平野 貴之 / T. Hirano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)神戸製鋼所 Kobe Steel Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小澤 健 / K. Ozawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 Musashi Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安室 千晃 / C. Yasumuro |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東海大学 Tokai University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田上 尚男 / H. Tanoue |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊藤 順司 / J. Itoh |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 発表年月日 | 1996/7/25 |
| 資料番号 | EID96-35 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 191 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |