| 講演名 | 1996/6/21 スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善 井原 久典, 大場 英史, 山口 鉄也, 飯田 義典, 野崎 秀俊, 真鍋 宗平, |
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| 抄録(和) | 200万画素スタックCCDのようなアモルファスシリコンを用いたイメージセンサにおいては、膜の欠陥密度が減少すると逆方向のリーク電流が増加するという問題がある。本論文では、まず、電界計算の結果から明らかになった、欠陥密度の減少に伴う画素電極端での電界集中について述べる。また、この電極端での電界集中を緩和するために画素電極にテーパをもうけ、リーク電流を改善できた結果について示す。 |
| 抄録(英) | Many studies have concentrated on the decrease in a-Si defect density. However, several a-Si image sensor, such as the 2M-pixel charge coupled device (CCD) image sensor, suffer from the following problem: (1) a decrease in defect density causes an increase in reverse biased current. Therefore, we conducted a trial to calculate the electric field around the edge of the electric field concentration at the edge of the electrode, and (2) the electric field concentration was improved by optimizing shape of the electrode edge. In addition, we confirmed that relaxation of the electric field concentration was observed in the prepared sample. |
| キーワード(和) | CCD / アモルファスシリコン / 電界集中 / 欠陥密度 |
| キーワード(英) | CCD / Amorphous Silicon / Electric Field Concentration / Defect Density |
| 資料番号 | EID96-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1996/6/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric Field Concentration at Electrode Edge with Decreasing Amorphous Silicon Defect Density and An Improvement for It |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CCD / CCD |
| キーワード(2)（和/英） | アモルファスシリコン / Amorphous Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 電界集中 / Electric Field Concentration |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥密度 / Defect Density |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井原 久典 / Hisanori Ihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センターULSI研究所 ULSI Research Laboratories, Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大場 英史 / Eiji Oba |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センターULSI研究所 ULSI Research Laboratories, Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 鉄也 / Tetsuya Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センターULSI研究所 ULSI Research Laboratories, Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 飯田 義典 / Yoshinori Iida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センターULSI研究所 ULSI Research Laboratories, Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 野崎 秀俊 / Hidetoshi Nozaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センターULSI研究所 ULSI Research Laboratories, Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 真鍋 宗平 / Sohei Manabe |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センターULSI研究所 ULSI Research Laboratories, Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 1996/6/21 |
| 資料番号 | EID96-20 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 106 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |