講演名 1997/1/22
金属被覆FEAの電子放出特性
澤 将裕, 大谷 進, 森 寛伸, 内池 平樹,
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抄録(和) 本研究では、n型シリコンを用いて電界放出アレイを作製し、その電界集中因子βの経時変化及び放出電流特性を測定した。さらに、W及びCrで被覆された電界放出アレイを作製し、同様の測定を行った。Wを被覆することにより、電界集中因子βの経時変化の値が安定することを確認した。また、金属被覆することにより、低電圧での電子放出を確認した。
抄録(英) In the present paper, we fabricated the Field Emitter Arrays made of n-type silicon wafers, and those covered with W and Cr. We measured the aging characteristics of field enhancement factor, β, and I-V characteristics. The aging characteristics of field enhancement factor, β, of Si-FEA is decrease with time, and that of W-FEA is stable. The threshould voltage of FEAs covered with metals are lower than that of Si-FEA.
キーワード(和) 電界放出型ディスプレイ / 金属被覆電界放出アレイ / 自然酸化膜 / トンネル効果
キーワード(英) Field Emission Display / FEA covered with Metal / the native oxide layer / tunneling effect
資料番号 EID96-76,ED96-154,SDM96-180
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 1997/1/22(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 金属被覆FEAの電子放出特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Field Emission Characteristics of Field Emitter Arrays coated with metals
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電界放出型ディスプレイ / Field Emission Display
キーワード(2)(和/英) 金属被覆電界放出アレイ / FEA covered with Metal
キーワード(3)(和/英) 自然酸化膜 / the native oxide layer
キーワード(4)(和/英) トンネル効果 / tunneling effect
第 1 著者 氏名(和/英) 澤 将裕 / M. Sawa
第 1 著者 所属(和/英) 広島大学工学部
Faculty of Engeneering, Hiroshima University
第 2 著者 氏名(和/英) 大谷 進 / S. Otani
第 2 著者 所属(和/英) 広島大学工学部
Faculty of Engeneering, Hiroshima University
第 3 著者 氏名(和/英) 森 寛伸 / H. Mori
第 3 著者 所属(和/英) 広島大学工学部
Faculty of Engeneering, Hiroshima University
第 4 著者 氏名(和/英) 内池 平樹 / H. Uchiike
第 4 著者 所属(和/英) 広島大学工学部
Faculty of Engeneering, Hiroshima University
発表年月日 1997/1/22
資料番号 EID96-76,ED96-154,SDM96-180
巻番号(vol) vol.96
号番号(no) 454
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日