| 講演名 | 1997/3/7 ポリイミドLB膜記録媒体を用いたSPMメモリ 矢野 亨治, 教学 正文, 黒田 亮, 瀧本 清, 江口 健, 中桐 孝志, |
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| 抄録(和) | 走査型プローブ顕微鏡(SPM)の探針を上部電極として用いることによりナノメータスケールの微細な金属/Langmuir-Blodgett(LB)膜/金属接合構造を実現した。この接合構造は電圧印加により伝導度の上昇を示す。導電性探針を用いた原子間力顕微鏡(AFM/STM)を用いた遷移後の表面のAFM像と電流像の同時観察では伝導度の変化のみを示し、LB膜表面の隆起あるいは微小孔いった形状の変化は見られなかった。この結果はLB膜の導電性の変化がLB膜への微小孔形成または探針からの金属クラスターの付着を伴わずに発生することを示している。遷移は1μs以下で発生可能で、また探針先端の損傷なしに少なくとも数千ケ所で状態遷移を起こすことが可能であることから高密度な情報記録装置の可能性を示した。 |
| 抄録(英) | Nanometer-scale metal/Langmuir-Blodgett (LB) film/metal structure is realized with a scanning probe microscope (SPM). In this configuration, increase in conductance can be induced in the LB film by application of a voltage pulse. Atomic force microscopy combined with scanning tunneling microscopy(AFM/STM) shows that the conductance of the LB film changes without pit formation in the LB film or metal cluster deposition from the tip of the probe. The transition speed is faster than 1μs, and the transition can be induced at several thousand points, at least, without tip degradation. These facts demonstrate the feasibility of information storage devices with high density. |
| キーワード(和) | LB膜 / ポリイミド / STM / AFM / メモリ |
| キーワード(英) | LB film / Polyimide / STM / AFM / Memory |
| 資料番号 | EID96-183,OME96-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1997/3/7(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ポリイミドLB膜記録媒体を用いたSPMメモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | SPM memory using polyimide LB film as recording medium |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LB膜 / LB film |
| キーワード(2)（和/英） | ポリイミド / Polyimide |
| キーワード(3)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(4)（和/英） | AFM / AFM |
| キーワード(5)（和/英） | メモリ / Memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 矢野 亨治 / K. Yano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | キャノン中央研究所 Canon Research Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 教学 正文 / M. Kyogaku |
| 第 2 著者 所属（和/英） | キャノン中央研究所 Canon Research Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 黒田 亮 / R. Kuroda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | キャノン中央研究所 Canon Research Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 瀧本 清 / K. Takimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | キャノン中央研究所 Canon Research Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 江口 健 / K. Eguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | キャノン中央研究所 Canon Research Center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中桐 孝志 / T. Nakagiri |
| 第 6 著者 所属（和/英） | キャノン中央研究所 Canon Research Center |
| 発表年月日 | 1997/3/7 |
| 資料番号 | EID96-183,OME96-101 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 567 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |