講演名 1997/2/14
POLYCRYSTALLINE SILICON FIELD EMITTER ARRAYS WITH A GATED STRUCTURE
,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英) Gated polycrystalline silicon field emitter arrays have been fabricated by using a combined dry and Wet etching technique for tip formation and a photoresist etch-back process for gate opening. The fabricated emitter with a tip radius of ~100Å showed electron emissions at a gate voltage of 45 V, comparable to single crystalline silicon tips processed with a sharpening oxidation. The developed method can be applicable to glass-based field emitter displays with semiconductor IC techno1ogies.
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 EID96-142
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 1997/2/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) POLYCRYSTALLINE SILICON FIELD EMITTER ARRAYS WITH A GATED STRUCTURE
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) / Yoon-Ho Song
第 1 著者 所属(和/英)
Semiconductor Division, Electronics and Telecommunications Research Institute
発表年月日 1997/2/14
資料番号 EID96-142
巻番号(vol) vol.96
号番号(no) 518
ページ範囲 pp.-
ページ数 2
発行日