講演名 | 1997/2/14 The Light Emission and the Formation Mechanisms of Porous Silicon , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | The photoluminescence (PL) peak of the porous Si (PS) will shift towards blue after the sample is treated by oxidication in ozone atmosphere and deoxidization in HF. It proves that the PL origin is due to the quantum confinement (QC) effect. By using two-step anodization to form the PS, we find that the QC effect is also important in the formation of the PS. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | porous Si / photoluminescence / formation mechanism / quantum confinement effect. |
資料番号 | EID96-131 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | EID |
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開催期間 | 1997/2/14(から1日開催) |
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委員長氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | The Light Emission and the Formation Mechanisms of Porous Silicon |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / porous Si |
第 1 著者 氏名(和/英) | / L. Jia |
第 1 著者 所属(和/英) | Dept. of Electronic Eng., the Chinese University of Hong Kong:Dept. of Physics, Peking University |
発表年月日 | 1997/2/14 |
資料番号 | EID96-131 |
巻番号(vol) | vol.96 |
号番号(no) | 518 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 3 |
発行日 |