| 講演名 | 1997/2/20 シリコンMOSのマイクロ波帯への適用の展望 松澤 昭, |
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| 抄録(和) | シリコンMOSのマイクロ波帯への適用を展望した。近年、高周波回路とベースバンド処理回路のワンチップをめざしMOSトランジスタの高周波応用の検討が盛んになっている。遮断周波数はすでにバイポーラを凌ぎ、100GHzを越えるものも発表されており、今後微細化の進展に伴い更に向上する。ゲート抵抗の低減などによりノイズ特性もNFで0.7dBと良好になっており、単体では既に実用域にあるものと思われる。しかしながら、デジタル回路とワンチップ化したときのクロストークの低減が今後の課題と思われる。 |
| 抄録(英) | This paper reviews a prospect of a microwave application of Silicon MOS device. The cutoff frequency of the silicon MOS device is already higher than that of the silicon bipolar devices and f_T of more than 100GHz has been reported and it will increase with the progress of scaled device. Very good Noise Figure of 0.7dB has been obtained mainly due to the gate resistance reduction. Thus, it can be seen that we can apply the discrete silicon MOS device to the Microwave range. However, the remained issues for realizing the combination of RF and base-band circuits on a chip is cross talk noise between digital circuits and RF circuits. |
| キーワード(和) | MOS / マイクロ波 / 高周波 / 遮断周波数 / ノイズ / 直線性 |
| キーワード(英) | MOS / Microwave / radio frequency / cutoff frequency / noise / linearity |
| 資料番号 | A・P96-165,EMCJ96-100,RCS96-179,MW96-205 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | AP |
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| 開催期間 | 1997/2/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Antennas and Propagation (A・P) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコンMOSのマイクロ波帯への適用の展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Prospect of a Microwave Application of Silicon MOS device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(2)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波 / radio frequency |
| キーワード(4)（和/英） | 遮断周波数 / cutoff frequency |
| キーワード(5)（和/英） | ノイズ / noise |
| キーワード(6)（和/英） | 直線性 / linearity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松澤 昭 / Akira Matsuzawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Matsushita Electric Industrial, CO., LTD. |
| 発表年月日 | 1997/2/20 |
| 資料番号 | A・P96-165,EMCJ96-100,RCS96-179,MW96-205 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 524 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |