| 講演名 | 2000/7/12 SSE2000-86 / RCS2000-75 入出力バッファ型ATMスイッチにおけるセル廃棄過程のシミュレーションによる検討 森田 和正, 北見 徳廣, |
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| 抄録(和) | ATMスイッチにおけるセル廃棄過程のモデルとして、廃棄連続および廃棄間隔の双方を考慮した近似度の高いIPPモデルおよび3状態のフリッチマンモデルがある。著者らは先に入力バッファ型ATMスイッチに関して、シミュレーションにより、これらのセル廃棄モデルの妥当性を検証した[1]。本稿では、入出力バッファ型ATMスイッチに関するセル廃棄過程のシミュレーションを行い、入力バッファ型ATMスイッチとの比較を行う。 |
| 抄録(英) | The authors already proposed cell discard process models in ATM switches using an IPP model with 2 states and a Fritchman model with 3 states. The proposed models are introduced taking account of the aggregated performance of cell loss runs and cell loss free runs. In the previous work, we verified the feasibility of these models by traffic simulations in an input-buffered ATM switch[1]. In this paper, we showed that these models could also be applied to an input-output-buffered ATM switch. The results include the performance comparison of cell discard process for each switch type. |
| キーワード(和) | 入力バッファ型ATMスイッチ / 入出力バッファ型ATMスイッチ / 廃棄連続 / 廃棄間隔 / IPPモデル |
| キーワード(英) | Input-buffered ATM switch / Input-output-buffered ATM switch / Cell loss run / Cell loss free run / IPP model |
| 資料番号 | SSE2000-86,RCS2000-75 |
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| 研究会 | SSE |
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| 開催期間 | 2000/7/12(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Switching Systems Engineering (SSE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SSE2000-86 / RCS2000-75 入出力バッファ型ATMスイッチにおけるセル廃棄過程のシミュレーションによる検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation Studies on Cell Discard Process for Input-Output-Bufferred ATM Switch |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 入力バッファ型ATMスイッチ / Input-buffered ATM switch |
| キーワード(2)（和/英） | 入出力バッファ型ATMスイッチ / Input-output-buffered ATM switch |
| キーワード(3)（和/英） | 廃棄連続 / Cell loss run |
| キーワード(4)（和/英） | 廃棄間隔 / Cell loss free run |
| キーワード(5)（和/英） | IPPモデル / IPP model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森田 和正 / Kazumasa MORITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学部電子通信工学科 Dept.of Electro.and Commun., Meiji University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 北見 徳廣 / Tokuhiro KITAMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学部電子通信工学科 Dept.of Electro.and Commun., Meiji University |
| 発表年月日 | 2000/7/12 |
| 資料番号 | SSE2000-86,RCS2000-75 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 193 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |