| 講演名 | 2002/1/17 MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収 鈴木 信夫, 飯塚 紀夫, 金子 桂, |
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| 抄録(和) | 超高速光デバイスヘの応用が期待されるGaN系サブバンド間遷移に関し, MBE成長とAlN障壁層の採用により, 光通信波長帯のサブバンド間吸収が実現された.ピーク波長1.3～1.5μmの吸収スペクトルは±1モノレーヤの厚さ揺らぎに相当する三つのローレンツ型スペクトル成分に分解でき, その半値幅は80～100meVであった.サブバンド間遷移波長はピエゾ電気効果や自発分極に起因する電界(≥5MV/cm)により大きな影響を受けている.測定された吸収波長は, 量子井戸一周期ごとの電位低下がゼロという電界再配分モデルとへテロ界面に±1モノレーヤ程度の組成傾斜層を仮定して計算した理論値とよい一致か得られた. |
| 抄録(英) | The intersubband transition (ISBT) in GaN is expected to be applicable to ultrafast optical devices. By adopting MBE growth and AlN barrier layers. the intersubband absorption in the optical communication wavelength range has been realized. The absorption spectra with a peak wavelength of 1.3-1.5μm were composed of three Lorentzian components representing ± 1-monolayer thickness variation. The FWHM of the spectral components was 80-100 meV.The ISBT wavelengths were strongly affected by the electric field (≥5 MV/cm) caused by the piezoelectric effect and the spontancous polarization. The measured wavelengths fit well to the theoretical values calculated assuming the field sharing model (a zero-potential drop across one period of the quantum well) and ± 1-monolayer graded regions at each hetero interface. |
| キーワード(和) | 光スイッチ / 量子井戸 / サブバンド間遷移 / ピエゾ電気効果 / GaN |
| キーワード(英) | optical switches / quantum wells / intersubband transition / piezoelectric effect / GaN |
| 資料番号 | 2001-PS-85,2001-OFT-82,2001-OPE-126,2001-LQE-112 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/1/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Near-Infrared Intersubband Absorption in MBE-Grown GaN/AlN Multiple Quantum Wells |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光スイッチ / optical switches |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸 / quantum wells |
| キーワード(3)（和/英） | サブバンド間遷移 / intersubband transition |
| キーワード(4)（和/英） | ピエゾ電気効果 / piezoelectric effect |
| キーワード(5)（和/英） | GaN / GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 信夫 / Nobuo SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯塚 紀夫 / Norio IIZUKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター個別半導体基盤技術ラボラトリー Advanced Discrete Semiconductor Technology Lab., Corporate R & D Center, Toshiba Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金子 桂 / Kei KANEKO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター個別半導体基盤技術ラボラトリー Advanced Discrete Semiconductor Technology Lab., Corporate R & D Center, Toshiba Corp. |
| 発表年月日 | 2002/1/17 |
| 資料番号 | 2001-PS-85,2001-OFT-82,2001-OPE-126,2001-LQE-112 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 592 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |