| 講演名 | 2002/1/17 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ カシミルス セティアグン, 清水 均, 熊田 浩二, 粕川 秋彦, |
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| 抄録(和) | レーザ素子の温度依存性が小さくなればペルチエ素子が不要となるため、加入者系光ファイバー通信においては特に高い特性温度を持つレーザ素子が要求される。GaInNAs/GaAs系レーザは高い特性温度を持つと報告され、次世代の通信用レーザとして期待される。我々はガスソース分子線エピタキシー法によりSbを微小量含んだ長波長帯GaInNAsSbレーザを開発した。室温発振波長1.26μmのリッジレーザを作製し、極めて低いしきい値電流(12.4mA@25℃)、なお且つ、高特性温度(T_0=157K)で、100℃以上の高温まで連続発振に成功した。また波長1.31μmにおいて、低しきい値電流密度(Jth=570A/cm^2@L=900μm)室温パルス発振を達成した。 |
| 抄録(英) | Access network of optical fiber communication system requires particularly lasers with high characteristic temperature because the peltier temperature controller is unnecessary by using those devices. GaInNAs/GaAs lasers were reported to have high characteristic temperature and expected to be used in the next generation of communication system. We have developed long wavelength GaInNAsSh lasers by GSMBE. We have succesfully fabricated GaInNAsSb ridge lasers that oscillated at 1.26μm, under CW operation over 100℃, with very low threshold current (12.4mA@25℃) and high characteristic temperature (T_0=157K). Furthermore, lasers that oscillated under pulse operation at 1.31μm, with very low threshold current density (Jth=570A/cm^2@L=900μm) were fabricated |
| キーワード(和) | 長波長帯半導体レーザ / GaInNAsSb / ガスソース分子線エピタキシー法 / 低閾値 / 特性温度 |
| キーワード(英) | Long wavelength lasers / GaInNAsSh / GSMBE / low threshold / charaderistic temperature |
| 資料番号 | 2001-PS-83,2001-OFT-80,2001-OPE-124,2001-LQE-110 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/1/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Threshold 1.3μm-range GaInNAsSb Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 長波長帯半導体レーザ / Long wavelength lasers |
| キーワード(2)（和/英） | GaInNAsSb / GaInNAsSh |
| キーワード(3)（和/英） | ガスソース分子線エピタキシー法 / GSMBE |
| キーワード(4)（和/英） | 低閾値 / low threshold |
| キーワード(5)（和/英） | 特性温度 / charaderistic temperature |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | カシミルス セティアグン / Setiagung CASIMIRUS |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 古河電気工業(株)横浜研究所半導体研究開発センター The Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama R & D Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 清水 均 / Hitoshi SHIMIZU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 古河電気工業(株)横浜研究所半導体研究開発センター The Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama R & D Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 熊田 浩二 / Koji KUMADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 古河電気工業(株)横浜研究所半導体研究開発センター The Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama R & D Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 粕川 秋彦 / Akihiko KASUKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 古河電気工業(株)横浜研究所半導体研究開発センター The Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama R & D Laboratories |
| 発表年月日 | 2002/1/17 |
| 資料番号 | 2001-PS-83,2001-OFT-80,2001-OPE-124,2001-LQE-110 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 592 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |