| 講演名 | 2002/1/17 傾斜グレーティングを用いたInGaAs量子井戸広面積DBRレーザ 久納 康光, 上向井 正裕, 島田 尚往, 栖原 敏明, |
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| 抄録(和) | 高出力かつ回折限界に近いビーム発散角を有する半導体レーザの実現のため, レーザ端面に対して傾斜したグレーティングを電極ストライプの両脇に設け共振器を構成し, さらに表面グレーティングを採用することにより作製を簡単化した広面積DBRレーザを提案・作製し, その評価を行った.このレーザの動作を確認し, 傾斜グレーティングを用いることの有効性と問題点を明らかにした.また, 平行ビーム出力のためのグレーティング出力結合器を集積したデバイスを提案・作製し, CW動作で30dB以上のザイドモード抑圧比の単一縦モード発振と平行ビーム出力を得た. |
| 抄録(英) | In order to realize high power semiconductor lasers with a diffraction-limited output, we propose an InGaAs angled-grating DBR laser. It consists of an angled broad-area gain stripe and surface gratings parallel to the gain stripe. The device was fabricated by a simple process without regrowth. We obtained laser oscillation and the results confirm the effectiveness of the angled-grating. A laser integrated with a grating outcoupler for collimation was also demonstrated. Single-mode lasing with a side-mode suppression ratio of 30 dB and a collimated output beam were obtained under CW operation. |
| キーワード(和) | 高出力半導体レーザ / 傾斜グレーティング / 分布ブラッグ反射型レーザ / グレーティング出力結合器 |
| キーワード(英) | high power semiconductor laser / angled grating / distributed Bragg reflector laser / grating outcoupler |
| 資料番号 | 2001-PS-82,2001-OFT-79,2001-OPE-123,2001-LQE-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/1/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 傾斜グレーティングを用いたInGaAs量子井戸広面積DBRレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaAs Quantum Well Broad-Area DBR Lasers with Angled Gratings |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高出力半導体レーザ / high power semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 傾斜グレーティング / angled grating |
| キーワード(3)（和/英） | 分布ブラッグ反射型レーザ / distributed Bragg reflector laser |
| キーワード(4)（和/英） | グレーティング出力結合器 / grating outcoupler |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 久納 康光 / Yasumitsu Kunoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上向井 正裕 / Masahiro Uemukai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 島田 尚往 / Naoyuki Shimada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 栖原 敏明 / Toshiaki Suhara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2002/1/17 |
| 資料番号 | 2001-PS-82,2001-OFT-79,2001-OPE-123,2001-LQE-109 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 592 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |