| 講演名 | 2001/6/29 弱屈折率導波埋め込みストライプ型InGaAs歪量子井戸980nm帯半導体レーザの高出力動作特性 堀江 秀善, 新居 信広, 小室 直之, 長尾 哲, 藤森 俊成, |
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| 抄録(和) | DWDM技術の進展に伴って、EDFA用の励起光源として不可欠な、InGaAs歪量子井戸を有する980nm帯半導体レーザ(LD)には、さらなる高出力化が要求されている。そこで、高出力動作時にも単一横モード発振が可能な素子を実現すべく、実効屈折率差(Δn_ |
| 抄録(英) | Increasing demands of DWDM communication require higher optical output power from InGaAs strained quantum-well 980 nm laser diodes(LDs), which are an essential pumping source for EDFA applications. To this end, we have fabricated buried-stripe type 980 nm LDs that possess a weakly index guided structure with an effective refractive index step(Δn_ |
| キーワード(和) | InGaAs歪量子井戸 / 980nm帯LD / 弱屈折率導波 / 高出力動作 / 単一横モード動作 / EDFA |
| キーワード(英) | InGaAs strained QW / 980 nm LD / weakly index guided / high-power operation / single transverse-mode / EDFA |
| 資料番号 | OPE2001-34,LQE2001-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2001/6/29(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 弱屈折率導波埋め込みストライプ型InGaAs歪量子井戸980nm帯半導体レーザの高出力動作特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-power operation of weakly index guided buried-stripe type InGaAs strained quantum-well 980 nm laser diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs歪量子井戸 / InGaAs strained QW |
| キーワード(2)（和/英） | 980nm帯LD / 980 nm LD |
| キーワード(3)（和/英） | 弱屈折率導波 / weakly index guided |
| キーワード(4)（和/英） | 高出力動作 / high-power operation |
| キーワード(5)（和/英） | 単一横モード動作 / single transverse-mode |
| キーワード(6)（和/英） | EDFA / EDFA |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀江 秀善 / Hideyoshi Horie |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター Opto-Electronics Research and Technology Development Center, Mitsubishi Chemical Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新居 信広 / Nobuhiro Arai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター Opto-Electronics Research and Technology Development Center, Mitsubishi Chemical Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小室 直之 / Naoyuki Komuro |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター Opto-Electronics Research and Technology Development Center, Mitsubishi Chemical Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長尾 哲 / Satoru Nagao |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター Opto-Electronics Research and Technology Development Center, Mitsubishi Chemical Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤森 俊成 / Toshinari Fujimori |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター Opto-Electronics Research and Technology Development Center, Mitsubishi Chemical Corporation |
| 発表年月日 | 2001/6/29 |
| 資料番号 | OPE2001-34,LQE2001-33 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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