| 講演名 | 2001/6/29 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作 緑川 英樹, 布谷 伸浩, 村主 賢悟, 田村 茂雄, 荒井 滋久, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 電子ビーム露光法とCH_4/H_2-RIEおよびOMVPE埋め込み再成長法を用いることにより、GaInAsP/InP歪補償5層細線レーザ(周期100nm、細線幅43nm)を作製した結果、共振器長1.24mm、ストライプ幅20μmの素子において80℃まで、同一基板上に作製された量子薄膜レーザよりも低いしきい値電流密度・高い外部微分量子効率が得られた。自然放出光スペクトルならびに媒質利得スペクトル測定を行ったところ、両者に異差は見られなかった。これらの結果から、細線レーザの高性能動作は活性層の体積効果によるものであること、および本作製法が極微構造の低損傷形成に有効であることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | GaInAsP/InP strain-compensated five-quantum-well wirelike lasers with a period of 100 nm and the wire width of 43 nm were fabricated by EB lithography, CH_4/H_2-reactive ion etching and organo-metallic-vapor-phase-epitaxial regrowth. As a result, lower threshold current density and higher differential quantum efficiency than those of quantum-film lasers prepared on the same wafer were obtained(cavity length L=1.24 mm and stripe width W_s=20 μm)up to 80℃. Spontaneous emission spectra and material gain spectra were measured, but there was no noticeable difference in these lasers. These results indicate that high-performance of wirelike lasers is attributed to a clear volume effect and above-mentioned method is very promising for low-damage fabrication of ultra fine structure. |
| キーワード(和) | 量子細線レーザ / GaInAsP/InP / 歪補償量子井戸 / CH_4/H_2-RIE / OMVPE再成長 |
| キーワード(英) | quantum-wire laser / GaInAsP/InP / strain-compensated quantum-well / CH_4/H_2-RIE / OMVPE regrowth |
| 資料番号 | OPE2001-33,LQE2001-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2001/6/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Threshold Operation of 1.5 μm Wavelength Strain-Compensated GaInAsP/InP Multiple Wirelike Laser Fabricated by Low-Damage CH_4/H_2 Dry Etching and Regrowth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線レーザ / quantum-wire laser |
| キーワード(2)（和/英） | GaInAsP/InP / GaInAsP/InP |
| キーワード(3)（和/英） | 歪補償量子井戸 / strain-compensated quantum-well |
| キーワード(4)（和/英） | CH_4/H_2-RIE / CH_4/H_2-RIE |
| キーワード(5)（和/英） | OMVPE再成長 / OMVPE regrowth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 緑川 英樹 / Hideki MIDORIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 布谷 伸浩 / Nobuhiro NUNOYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村主 賢悟 / Kengo MURANUSHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田村 茂雄 / Shigeo TAMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/6/29 |
| 資料番号 | OPE2001-33,LQE2001-32 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |