| 講演名 | 2001/6/29 InP基板上長波InAs量子ドットレーザ 斎藤 英彰, 西 研一, 菅生 繁男, |
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| 抄録(和) | InP(311)B基板上に自己形成InAs量子ドット/InAlGaAs層をMBEにより成長した。量子ドットは9×10^<10>cm^<-2>の高密度で形成され、室温でのPL発光波長は1.6μmであった。77K～300Kの温度範囲でのPL発光強度と半値幅の変化が非常に小さいことが観測された。我々は5周期多層化したInAs量子ドット層を活性層とした量子ドットレーザを作製し、1.6μmでの室温基底準位発振を実現して380A/cm^2の低閾値電流密度を得た。さらに共振器長0.5mmのリッジレーザで閾値電流20mAのCW発振を実現した。このレーザはDWDM波長帯での低チャープ光源としての応用が期待される。 |
| 抄録(英) | Molecular beam epitaxy was used to grow self-assembled InAs quantum dots on InAl(Ga)As buffer layer/InP(311)B substrates. Their area density was a very high 9×10^<10> cm^<-2> and their room-temperature photoluminescence emission was at 1.6 μm. Emission intensity and emission linewidth showed little degradation in the temperature range from 77 K to 300 K. We fabricated lasers using five-period stacked InAs quantum-dot layers for the active region, and achieved 1.6-μm ground-state lasing with a low threshold current density of 380 A/cm^2. And we operated a quantum dot laser with 0.5-mm-cavity at 20-mA threshold current under continuous wave current. |
| キーワード(和) | 量子ドットレーザ / MBE / 自己形成量子ドット / InAs / InP基板 / WDM |
| キーワード(英) | quantum dot laser / MBE / self-assembled dot / InAs / InP substrate / WDM |
| 資料番号 | OPE2001-32,LQE2001-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2001/6/29(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP基板上長波InAs量子ドットレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Long-wavelength InAs quantum-dot laser on InP substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドットレーザ / quantum dot laser |
| キーワード(2)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(3)（和/英） | 自己形成量子ドット / self-assembled dot |
| キーワード(4)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(5)（和/英） | InP基板 / InP substrate |
| キーワード(6)（和/英） | WDM / WDM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斎藤 英彰 / Hideaki Saito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西 研一 / Kenichi Nishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菅生 繁男 / Shigeo Sugou |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2001/6/29 |
| 資料番号 | OPE2001-32,LQE2001-31 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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