講演名 2000/10/18
共振器内部型受動QスイッチNd:YAGレーザー
齋川 次郎, 栗村 直, 庄司 一郎, 平等 拓範 /,
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抄録(和) 全固体の半導体レーザー励起CW Nd:YAGレザーを開発し, Cr^<4+>:YAGによる可飽和吸収型受動Qスイッチ特性, さらにLBOを用いた共振器内部SHG特性について検討を行った.実験的には波長532nmで263μJ, 87.8ns, 平均出力1Wを得た.この時のパルス形成過程を可飽和吸収型Qスイッチレーザーの共振器内部に配置したSHG結晶を含めたレート方程式を解析することで求めた。
抄録(英) A medium-power all-solid-state diode-pumped Nd : YAG laser, passively Q-switched employing Cr^<4+> : YAG as saturable absorber and intra-cavity frequency doubled by a LBO crystal, has been developed. The device produces 263-μJ, 87.8-ns pulses of ~3.0kW peak power, with 1.0-W average power output at 532nm. The dynamics of the pulse formation is discussed by introducing a nonlinear loss term caused by the frequency doubler into the coupled rate equations describing the operation of saturable absorber passively Q-switched lasers.
キーワード(和)
キーワード(英) Nd-doped laser / Diode-pumping / Passive Q-switch / Cr^<4+> : YAG / frequency-doubling
資料番号 LQE2000-65
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2000/10/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 ENG
タイトル(和) 共振器内部型受動QスイッチNd:YAGレーザー
サブタイトル(和)
タイトル(英) Intra-cavity Frequency Doubling of a Passively Q-switched Nd : YAG Laser
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Nd-doped laser
第 1 著者 氏名(和/英) 齋川 次郎 / Nicolaie PAVEL
第 1 著者 所属(和/英) 分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター
Laser Research Center, Institute for Molecular Science
第 2 著者 氏名(和/英) 栗村 直 / Jiro SAIKAWA
第 2 著者 所属(和/英) 分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター
Laser Research Center, Institute for Molecular Science
第 3 著者 氏名(和/英) 庄司 一郎 / Sunao KURIMURA
第 3 著者 所属(和/英) 分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター
Laser Research Center, Institute for Molecular Science
第 4 著者 氏名(和/英) 平等 拓範 / / Ichiro SHOJI
第 4 著者 所属(和/英) 分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター /
Laser Research Center, Institute for Molecular Science
発表年月日 2000/10/18
資料番号 LQE2000-65
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 391
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日