講演名 | 2000/10/18 共振器内部型受動QスイッチNd:YAGレーザー 齋川 次郎, 栗村 直, 庄司 一郎, 平等 拓範 /, |
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抄録(和) | 全固体の半導体レーザー励起CW Nd:YAGレザーを開発し, Cr^<4+>:YAGによる可飽和吸収型受動Qスイッチ特性, さらにLBOを用いた共振器内部SHG特性について検討を行った.実験的には波長532nmで263μJ, 87.8ns, 平均出力1Wを得た.この時のパルス形成過程を可飽和吸収型Qスイッチレーザーの共振器内部に配置したSHG結晶を含めたレート方程式を解析することで求めた。 |
抄録(英) | A medium-power all-solid-state diode-pumped Nd : YAG laser, passively Q-switched employing Cr^<4+> : YAG as saturable absorber and intra-cavity frequency doubled by a LBO crystal, has been developed. The device produces 263-μJ, 87.8-ns pulses of ~3.0kW peak power, with 1.0-W average power output at 532nm. The dynamics of the pulse formation is discussed by introducing a nonlinear loss term caused by the frequency doubler into the coupled rate equations describing the operation of saturable absorber passively Q-switched lasers. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | Nd-doped laser / Diode-pumping / Passive Q-switch / Cr^<4+> : YAG / frequency-doubling |
資料番号 | LQE2000-65 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2000/10/18(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | 共振器内部型受動QスイッチNd:YAGレーザー |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Intra-cavity Frequency Doubling of a Passively Q-switched Nd : YAG Laser |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / Nd-doped laser |
第 1 著者 氏名(和/英) | 齋川 次郎 / Nicolaie PAVEL |
第 1 著者 所属(和/英) | 分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター Laser Research Center, Institute for Molecular Science |
第 2 著者 氏名(和/英) | 栗村 直 / Jiro SAIKAWA |
第 2 著者 所属(和/英) | 分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター Laser Research Center, Institute for Molecular Science |
第 3 著者 氏名(和/英) | 庄司 一郎 / Sunao KURIMURA |
第 3 著者 所属(和/英) | 分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター Laser Research Center, Institute for Molecular Science |
第 4 著者 氏名(和/英) | 平等 拓範 / / Ichiro SHOJI |
第 4 著者 所属(和/英) | 分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター / Laser Research Center, Institute for Molecular Science |
発表年月日 | 2000/10/18 |
資料番号 | LQE2000-65 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 391 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 7 |
発行日 |