| 講演名 | 2000/6/30 OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性 影山 健生, 宮本 智之, 牧野 茂樹, 西山 伸彦, 小山 二三夫, 伊賀 健一, |
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| 抄録(和) | 長波長帯面発光レーザの実現を目的として, GaInNAs/GaAs量子井戸をRFラジカルセルを用いた化学ビーム成長(CBE)法により成長している.今回CBE法では初めてのGaInNAs/GaAs量子井戸レーザのレーザ発振動作(パルス駆動)を実現した.波長1.20μmでのGa_<0.65>In_<0.35>N_<0.003>As_<0.997>/GaAs-2層量子井戸レーザにおいて, 長波長帯レーザ最高特性温度(T_0=270K, 25-50℃)を得た.また, 170℃までのパルス発振が得られた.また, 波長1.20μmにおいて10-90℃の温度範囲での連続動作も実現した. |
| 抄録(英) | We have grown a GaInNAs/GaAs quantum well laser structure using chemical beam epitaxy with RF radical cell for the purpose of realizing long-wavelength vertical cavity surface emitting lasers. The first lasing operation of GaInNAs/GaAs quantum well stripe lasers grown by chemical beam epitaxy has been demonstrated under pulsed operation. A record high characteristic temperature of 270K for long wavelength lasers was obtained using a Ga_<0.65>In_<0.35>N_<0.003>As_<0.997>/GaAs double quantum well active layer. High temperature operation up to 170℃ was also demonstrated under pulsed operation. Continuous-wave operation of the GaInNAs laser up to 90℃ was also demonstrated at λ=1.20μm. |
| キーワード(和) | GaInNAs/GaAs量子井戸 / 化学ビーム成長法 / 半導体レーザ / 高温動作 |
| キーワード(英) | GaInNAs/GaAs quantum well / chemical beam epitaxy / semiconductor laser / high temperature operation |
| 資料番号 | OPE2000-35,LQE2000-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2000/6/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Temperature Characteristics of GaInNAs/GaAs Quantum Well Laser |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInNAs/GaAs量子井戸 / GaInNAs/GaAs quantum well |
| キーワード(2)（和/英） | 化学ビーム成長法 / chemical beam epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor laser |
| キーワード(4)（和/英） | 高温動作 / high temperature operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 影山 健生 / T. Kageyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮本 智之 / T. Miyamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 牧野 茂樹 / S. Makino |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / N. Nishiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / F. Koyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊賀 健一 / K. Iga |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/6/30 |
| 資料番号 | OPE2000-35,LQE2000-29 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |