講演名 2000/6/30
OPE2000-34 / LQE2000-28 垂直積層InGaAsP埋込導波路を用いた光ADM素子の低クロストーク特性
矢崎 智基, 堀田 昌克, 田中 信介, 松島 裕一,
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抄録(和) 垂直積層InGaAsP埋込導波路構造を用いて半導体光ADM素子の偏光無依存化を図り、直交偏波間のフィルタピーク波長差が0.03nmと非常に低減できることを確認した。また、クロストーク特性改善のために深いInGaAsP/InP回折格子を積層導波路間に設けた素子を作製し、-36dBの低クロストークを実現した。
抄録(英) Polarization insensitive optical ADM was demonstrated by introducing vertically stacked buried waveguides, and it was confirmed that a difference of peak wavelength between two orthogonal polarizations was reduced to as small as 0.03nm. Further, InGaAsP/InP deep grating was fabricated between vertically stacked waveguides in order to improve crosstalk characteristics. Extremely low crosstalk of -36dB was successfully achieved.
キーワード(和) 半導体光ADM素子 / 垂直積層埋込導波路 / 深い回折格子
キーワード(英) Semiconductor OADM / Vertically stacked buried waveguides / Deep grating
資料番号 OPE2000-34,LQE2000-28
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2000/6/30(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) OPE2000-34 / LQE2000-28 垂直積層InGaAsP埋込導波路を用いた光ADM素子の低クロストーク特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Extremely Low Crosstalk Characteristics of Optical ADM with Vertically Stacked Buried InGaAsP waveguides
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 半導体光ADM素子 / Semiconductor OADM
キーワード(2)(和/英) 垂直積層埋込導波路 / Vertically stacked buried waveguides
キーワード(3)(和/英) 深い回折格子 / Deep grating
第 1 著者 氏名(和/英) 矢崎 智基 / Tomonori Yazaki
第 1 著者 所属(和/英) (株)KDD研究所
KDD R&D Laboratories Inc.
第 2 著者 氏名(和/英) 堀田 昌克 / Masayoshi Horita
第 2 著者 所属(和/英) (株)KDD研究所
KDD R&D Laboratories Inc.
第 3 著者 氏名(和/英) 田中 信介 / Shinsuke Tanaka
第 3 著者 所属(和/英) (株)KDD研究所
KDD R&D Laboratories Inc.
第 4 著者 氏名(和/英) 松島 裕一 / Yuichi Matsushima
第 4 著者 所属(和/英) (株)KDD研究所
KDD R&D Laboratories Inc.
発表年月日 2000/6/30
資料番号 OPE2000-34,LQE2000-28
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 170
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日