| 講演名 | 2000/6/14 LQE2000-25 パルスレーザーアブレーションによるGaNのエッチング加工 茜 俊光, 杉岡 幸次, 青木 尚子, 豊田 浩一, 半村 清孝, 野村 晋太郎, 青柳 克信, 緑川 克美, |
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| 抄録(和) | F_2レーザー照射アブレーションによるGaNのエッチング加工を行い、加工形状、加工速度の比較を行い、KrFエキシマレーザーを用いた場合と比較した。F_2レーザーを用いた場合、100MW/cm^2の照射強度においても熱的影響によるエッチングレートの加速は見られず、マスクエッジ部の凹凸が少なく、マスクエッジ回祈によるリプル構造が明瞭に確認された。また、レーザー強度増大と共に、KrFエキシマレーザー照射の場合と同様なエッチング表面の平坦化効果が確認された。 |
| 抄録(英) | F_2 laser ablation etching has been demonstrated. We compare the basic machining characteristics such as geometry and etching rate to the case of KrF excimer laser irradiation. In the case of F_2 laser ablation, no acceleration of etching rate is confirmed, as well as sharp mask edge and well ordered ripple structure are observed at 100 MW/cm^2 irradiation. The planarization effect is confirmed as the laser intensity increases, similarly to the case of KrF excimer laser irradiation. |
| キーワード(和) | GaN / F_2レーザー / KrFエキシマレーザー / アブレーション / エッチング / 平坦化 |
| キーワード(英) | GaN / F_2 laser / KrF excimer laser / ablation / etching / planarization |
| 資料番号 | LQE2000-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2000/6/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | LQE2000-25 パルスレーザーアブレーションによるGaNのエッチング加工 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ablation etching of GaN using pulsed laser irradiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | F_2レーザー / F_2 laser |
| キーワード(3)（和/英） | KrFエキシマレーザー / KrF excimer laser |
| キーワード(4)（和/英） | アブレーション / ablation |
| キーワード(5)（和/英） | エッチング / etching |
| キーワード(6)（和/英） | 平坦化 / planarization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 茜 俊光 / T. Akane |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 理化学研究所 RIK EN |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉岡 幸次 / K. Sugioka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 理化学研究所 RIK EN |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 尚子 / N. Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京理科大学基礎工学部 Science Univ. of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 豊田 浩一 / K. Toyoda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京理科大学基礎工学部 Science Univ. of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 半村 清孝 / K. Hammura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 理化学研究所 RIK EN |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 野村 晋太郎 / S. Nomura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 筑波大学物理学系 Univ. of. Tsukuba |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 青柳 克信 / Y. Aoyagi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 理化学研究所 RIK EN |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 緑川 克美 / K. Midorikawa |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 理化学研究所 RIK EN |
| 発表年月日 | 2000/6/14 |
| 資料番号 | LQE2000-25 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 115 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |