| 講演名 | 2000/6/14 高指数面基板上の横型p-n接合を用いた光電子デバイス バッカロ パブロ, 藤田 和久, 會田 田人, |
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| 抄録(和) | (311)A面GaAs段差基板上にMBE成長したSiドープGaAs層には模型p-n接合が形成される。このような横型p-n接合は光電子デバイスヘの応用に対し、小さな接合面積、共平面型コンタクト、絶縁層クラッド、キャリア輸送用多層膜など特有の構造の作製が可能となり、種々の利点を有する。これらの特長を活かして、GaAs単一量子井戸およびGaAs/AlGaAs多重量子井戸構造の発光ダイオード、ならびに、絶縁多層膜ブラッグ反射器と共平面型コンタクト構造を有する垂直共振器面発光レーザを試作し、それぞれ、室温での良好な発光特性とシングルモードパルス発振(閾値電流2.3mA、波長942nm、FWHM0.15nm)を確認した。本稿では、これら光電子デバイスの作製と特性について紹介する。 |
| 抄録(英) | We demonstrate light-emitting diodes and a vertical-cavity surface-emitting laser and fabricated using a lateral p-n junction. The lateral p-n junction is formed in a GaAs-silicon doped layer grown by molecular-beam epitaxy on a patterned GaAs (311)A-oriented substrate. Lateral p-n junctions have particular properties (i.e., small junction area, coplanar contact geometry, can be clad between electrically insulating layers, allow carrier transport in the plane of multilayer structures, etc.) that are promising for application in new devices. Light-emitting diodes exhibit good electroluminescence at room temperature for both GaAs single layers and GaAs/AlGaAs multiple-quantum-well structures. The vertical-cavity surface-emitting laser has electrically insulating distributed Bragg reflectors and coplanar contacts which simplify the device fabrication process. Pulsed-mode operation at room temperature was obtained with a threshold current of 2.3 mA. The light-emission spectrum has a single peak at 942 nm with a full-width at half maximum of 0.15 nm. |
| キーワード(和) | GaAs / 横型接合 / Siドープ / MBE / 発光ダイオード / 面発光レーザ |
| キーワード(英) | GaAs / lateral junction / silicon doping / MBE / LED / VCSEL |
| 資料番号 | LQE2000-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2000/6/14(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高指数面基板上の横型p-n接合を用いた光電子デバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | LQE2000-20 Optoelectronic devices based on lateral p-n junctions fabricated on high-index substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 横型接合 / lateral junction |
| キーワード(3)（和/英） | Siドープ / silicon doping |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | 発光ダイオード / LED |
| キーワード(6)（和/英） | 面発光レーザ / VCSEL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | バッカロ パブロ / Pablo O. Vaccaro |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)ATR環境適応研究所 ATR Adaptive Communications Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤田 和久 / Kazuhisa Fujita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)イオン工学研究所 / ATR Adaptive Communications Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 會田 田人 / Tahito Aida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)ATR環境適応研究所 |
| 発表年月日 | 2000/6/14 |
| 資料番号 | LQE2000-20 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 115 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |