| 講演名 | 1999/7/9 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs系面発光レーザに関する研究 國政 文枝, 深見 武志, 江川 孝志, 神保 孝志, 梅野 正義, |
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| 抄録(和) | 我々はSi基板上GaAs成長における熱サイクルアニール(TCA)の温度を、350℃～850℃から300℃～1000℃にすることによって、貫通転移低減とともに表面ラフネスが抑制されることを確認した。また、TCAの温度を300℃～1000℃にすることによって、Si基板上AlAs/A_10.1Ga_0.9As 23DBRの最高反射率が97.4%から99.2%まで上昇し、98%以上の反射率を持つ波長域が約40nmと、広帯域で得られた。さらに、Si基板上In_0.02Ga_0.98As 10重量子井戸面発光レーザを作製したところ、230Kにおいて閾値電流密度6.19kA/cm^2の連続動作が得られた。 |
| 抄録(英) | We confirmed that thermal cycle annealing (TCA) between 300℃ and 1000℃ contributed to growth of specular surface morphology as well as reduction of threading dislacations in heteroepitazial growth of GaAs on Si. The reflectivity of 23-pair of AlAs/A_10.1Ga_0.9As Distributed Bragg refelector on Si was improved from 97.4% to 99.2% by use of TCA between 300℃and 1000℃. The bandwidth was as wide as 40 nm at the wavelength above 98%. In addition,In_0.02Ga_0.98As 10QWs VCSEL on Si exhibited CW threshold current of 102 mA (6.19 kA / cm^2) at 230 K. |
| キーワード(和) | MOCVD法 / Si基板上GaAs / 熱サイクルアニール / 半導体多層膜 / 面発光レーザ |
| キーワード(英) | MOCVD / GaAs on Si / Thermal Cycle Annealing / Distributed Bragg Reflector / VCSEL |
| 資料番号 | LQE99-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1999/7/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs系面発光レーザに関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaAs-based vertical-cavity surface-emitting laser on Si substrate by MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD法 / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板上GaAs / GaAs on Si |
| キーワード(3)（和/英） | 熱サイクルアニール / Thermal Cycle Annealing |
| キーワード(4)（和/英） | 半導体多層膜 / Distributed Bragg Reflector |
| キーワード(5)（和/英） | 面発光レーザ / VCSEL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 國政 文枝 / F. Kunimasa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineerign, Nagoya Institute of Teclmology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 深見 武志 / T. Fukami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineerign, Nagoya Institute of Teclmology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / T. Egawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Teclmology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / T. Jimbo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学都市循環システム工学専攻 Department of Environmental Teclmology and Urban Plarming, Nagoya Institute of Teclmology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 梅野 正義 / M. Umeno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科:名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Teclmology : Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Teclmology |
| 発表年月日 | 1999/7/9 |
| 資料番号 | LQE99-33 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 173 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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