講演名 | 1999/7/9 青色面発光レーザ用GaN/AlGaN半導体多層膜反射鏡の作製 中田 尚幸, 石川 博康, 江川 孝志, 神保 孝志, 梅野 正義, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | サファイア基板上GaN/AlGaN多層膜反射鏡に歪超格子を導入することにより、クラックが減少し98%という高反射率を得た。また、GaN/AlGaN多層膜反射鏡を発光ダイオードの基板側ミラーとして用い、基板側への光損失を軽減させることに成功した。PL測定では縦モードからの発光が観測された。また、GaN/AlGaN多層反射鏡を反射鏡として用いることにより、光強度が約1.5倍に向上した。GaN/AlGaN多層反射鏡は発光ダイオードの光損失を軽減させる反射鏡として有効である。 |
抄録(英) | GaN/AlGaN distributed Bragg reflectors (DBR) were grown on sapphire substrate. The reflectivity of DBR was improved after an introduction of GaN/AlGaN strained layer superlattices and the generation of cracks was effectively suppressed. On the other hand, the characteristics of the InGaN light emitting diode (LED) have been improved by use of the GaN/AlGaN DBR. For the InGaN MQWLED consisting of DBR, the output power of 120μW and the external quantum efficiency of 0.23% were obtained which is about 1.5 times as large as those of the conventional LED. |
キーワード(和) | GaN / AlGaN / MOCVD / 多層膜反射鏡 / 面発光レーザ / 発光ダイオード |
キーワード(英) | GaN / AlGaN / MOCVD / dustributed Bragg reflector / VCSEL / LED |
資料番号 | LQE99-32 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
---|---|
開催期間 | 1999/7/9(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 青色面発光レーザ用GaN/AlGaN半導体多層膜反射鏡の作製 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Fabrication of GaN/AlGaN distributed Bragg reflector for VCSEL |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | GaN / GaN |
キーワード(2)(和/英) | AlGaN / AlGaN |
キーワード(3)(和/英) | MOCVD / MOCVD |
キーワード(4)(和/英) | 多層膜反射鏡 / dustributed Bragg reflector |
キーワード(5)(和/英) | 面発光レーザ / VCSEL |
キーワード(6)(和/英) | 発光ダイオード / LED |
第 1 著者 氏名(和/英) | 中田 尚幸 / Naoyuki Nakada |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 石川 博康 / Hiroyasu Ishikawa |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
第 3 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 神保 孝志 / Takashi Jhnbo |
第 4 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学都市循環システム工学専攻 Department of Environmental Teclmology and Urban Plarming, Nagoya Institute of Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | 梅野 正義 / Masayoshi Umeno |
第 5 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科:極微構造デバイス研究センター Department of Electrical and Computer Engineering : Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
発表年月日 | 1999/7/9 |
資料番号 | LQE99-32 |
巻番号(vol) | vol.99 |
号番号(no) | 173 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |