| 講演名 | 1999/5/21 1.55μm帯ファブリペロー半導体レーザのモードロック動作 野村 良徳, 越智 誠司, 冨田 信之, 秋山 浩一, 井須 俊郎, 瀧口 透, 樋口 英世, |
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| 抄録(和) | 1.55μm帯ファブリーペロ半導体レーザのモードロック動作を観測した. モードロックパルスの消光比ならびにパルス幅は注入電流に依存する. 実験的に得られた最も高い消光比は10dB, 最も短いパルス幅は0.3psであった. このモードロックの発生条件は, 二準位媒質での多モード発振理論を半導体レーザの場合に拡張することによって得られ, 実験結果を定性的に説明できた. |
| 抄録(英) | We demonstrate stable mode-lock pulse generation from Fabry-Perot semiconductor lasers in a 1.55 μm wavelength band. Pulse widths and extinction ratios are found to be dependent on the injection current. The shortest pulse width obtained in this experiment is 0.3 ps and the highest extinction ratio is 10 dB. We have derived the AM mode-lock conditions for 1.55 μm lasers by extending the multimode operation theory developed for two-level systems. The calculated AM mode-lock conditions well-account for the experimental results. |
| キーワード(和) | モードロック / 半導体レーザ / 利得飽和 / ホールバーニング |
| キーワード(英) | mode lock / semiconductor laser / gain saturation / hole burning |
| 資料番号 | LQE99-8 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1999/5/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1.55μm帯ファブリペロー半導体レーザのモードロック動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mode-Locking Operation of Fabry-Perot Semiconductor Lasers at 1.55 μm Wavelength |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | モードロック / mode lock |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor laser |
| キーワード(3)（和/英） | 利得飽和 / gain saturation |
| キーワード(4)（和/英） | ホールバーニング / hole burning |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野村 良徳 / Yoshinori Nomura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi electric Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 越智 誠司 / Seiji Ochi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi electric Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 冨田 信之 / Nobuyuki Tomita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi electric Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 秋山 浩一 / Koichi Akiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi electric Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井須 俊郎 / Toshiro Isu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi electric Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 瀧口 透 / Tohru Takiguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)高周波光素子事業統括部 Optoelectronic & Microwave Device Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 樋口 英世 / Hideyo Higuchi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)高周波光素子事業統括部 / Optoelectronic & Microwave Device Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 発表年月日 | 1999/5/21 |
| 資料番号 | LQE99-8 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |