| 講演名 | 1998/7/3 SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術 古森 正明, 大家 彰, 青木 雅博, 佐藤 宏, 魚見 和久, |
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| 抄録(和) | SiシャドウマスクMOCVD成長により、光加入者用送信光源となるビーム拡大器集積半導体レーザを作製した。マスク寸法及び基板とマスク間隔を最適化することにより、レーザ部の活性層厚に比べ1/3倍の膜厚変調比を有する膜厚テーパ導波路を、従来の活性層構造に集積化成長することができた。この膜厚テーパ導波路を有する1.3μm帯逆メサリッジ型半導体レーザを試作した結果、垂直方向のFFPは、従来レーザの40°に対して、13°と狭窄化できた。 |
| 抄録(英) | A 1.3-μm beam expander-integrated laser diode was fabricated by the in-plane thickness control MOCVD using a silicon shadow mask. For the optimization of InP-based thickness-tapered guided-wave structures, we investigated the dependence of growth rate reduction of thickness-tapered region on the shadow mask width and on the distance between the shadow mask and InP substrate. As a result, 1.3μm reversed-mesa ridge-waveguide Structure lasers integrated with a thickness-tapered waveguide devices was demonstrated with a low threshold current of 15mA and a narrow FFP of 13°. |
| キーワード(和) | SiシャドウマスクMOCVD成長 / 膜厚テーパ導波路 / ビーム拡大器集積レーザ |
| キーワード(英) | MOCVD using a silicon shadow mask / thickness-tapered waveguide structures / 1.3-μm beam expander-integrated laser diodes |
| 資料番号 | OPE98-44,LQE98-38 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/7/3(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | In-plane thickness control MOCVD using a silicon shadow mask for 1.3μm beam expander-integrated laser diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiシャドウマスクMOCVD成長 / MOCVD using a silicon shadow mask |
| キーワード(2)（和/英） | 膜厚テーパ導波路 / thickness-tapered waveguide structures |
| キーワード(3)（和/英） | ビーム拡大器集積レーザ / 1.3-μm beam expander-integrated laser diodes |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古森 正明 / Masaaki Komori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大家 彰 / Akira Taike |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 雅博 / Masahiro Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐藤 宏 / Hiroshi Sato |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 魚見 和久 / Kazuhisa Uomi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/7/3 |
| 資料番号 | OPE98-44,LQE98-38 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 167 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |