| 講演名 | 1998/7/3 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ 山崎 裕幸, 古嶋 裕司, 工藤 耕治, 阪田 康隆, 佐々木 善浩, 佐々木 達也, |
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| 抄録(和) | スポットサイズ変換器集積半導体レーザ(SSC-LD)を選択MOVPE技術により作製する際に、SSCでの吸収損失の大幅な低減が可能な導波路幅拡大SSC構造を提案する。本構造の導入により吸収損失は半減し、閾値電流5.8mA(25℃)、19mA(85℃)、85℃-10mAの駆動電流57mAと良好な発振特性を実現した。SMFとの結合損失は1.8dBと小さく、結合損失が1dB増加する位置ずれ許容量は水平/垂直方向とともに±1.8μmであり、無調整実装に十分適応可能な結合特性が得られた。 |
| 抄録(英) | We propose a Waveguide width abruptly EXpanded Spot-Size-Converter integrated Laser Diode (WEX-SSC LD) in order to reduce absorption loss in SSC section, realized by introducing steep photoluminescence wavelength profile. The WEX-SSC LDs showed superior lasing characteristics such as threshold current of 5.8 mA for 25℃ and 19 mA for 85℃, and operation current of 57mA at output power of 10 mW for 85℃. The coupling loss to normal single-mode fiber was as low as 1.8 dB maintaining large coupling tolerance of ±1.8μm. These excellent coupling characteristics are very promising for passively aligned optical module. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / MOVPE / スポットサイズ変換 / アクセス系光通信システム / 駆動電流 |
| キーワード(英) | Laser diode / MOVPE / Spot size converter / Access network system / Driving current |
| 資料番号 | OPE98-43,LQE98-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/7/3(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Spot-Size-Converter integrated Laser Diode with Waveguide width abruptly EXpanded Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Laser diode |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | スポットサイズ変換 / Spot size converter |
| キーワード(4)（和/英） | アクセス系光通信システム / Access network system |
| キーワード(5)（和/英） | 駆動電流 / Driving current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山崎 裕幸 / H. Yamazaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 NEC Corp., Optoelectronics and High Frequency Device Res. Labs. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古嶋 裕司 / Y. Furushima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 NEC Corp., Optoelectronics and High Frequency Device Res. Labs. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 工藤 耕治 / K. Kudo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 NEC Corp., Optoelectronics and High Frequency Device Res. Labs. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 阪田 康隆 / Y. Sakata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Labs. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々木 善浩 / Y. Sasaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Labs. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 佐々木 達也 / T. Sasaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 NEC Corp., Optoelectronics and High Frequency Device Res. Labs. |
| 発表年月日 | 1998/7/3 |
| 資料番号 | OPE98-43,LQE98-37 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 167 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |