講演名 | 1998/7/3 InGaAs/AlAs量子井戸におけるサブバンド間エネルギー緩和時間の直接測定 : 短波長化サブバンド間遷移を用いた超高速光-光変調に向けて 浅野 卓, 友田 勝寛, 野田 進, |
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抄録(和) | 量子井戸におけるサブバンド間遷移は、その超高速緩和時間(ピコ秒)等の特長からデバイス応用が有望視されている。我々はサブバンド間遷移を用いた超高速光-光変調デバイスを提案、実証するとともに、その応用範囲の拡大を目標に、従来、4um以上の長波長域であった遷移波長を短波長化(波長1.9~2.8um)する研究を行ってきた。本稿では、短波長サブバンド間遷移(2.5μm)における励起電子緩和時間のポンプ・プローブ測定について述べる。短波長化した場合でも従来の長波長のものと同様の超高速の緩和時間(~2.7ps)を持ち、超高速光変調デバイスへの応用が可能であることを示す。また、緩和時間の遷移波長依存性から励起電子の緩和過程について議論する。 |
抄録(英) | Intersubband transition (ISB-T) in quantum well has been drawing much attention due to its unique properties such as ultrafast relaxation time. We have proposed and demonstrated ultrafast all-optical modulator utilizing the ISB-T. In addition, we have shortened the ISB-T wavelength (up to 1.9~2.8μm) for practical applications. In this report, we show the first direct measurement result of the energy relaxation time in the short wavelength ISB-T. One color pump & probe measurements are performed, and the energy relaxation time of 2.5μm ISB-T is shown to be ~2.7ps. Discussion of the relaxation process are carried out from the view point of the dependence of relaxation time on transition wavelength. |
キーワード(和) | サブバンド間遷移 / 短波長化 / 光制御光変調 / 緩和時間 |
キーワード(英) | intersubband transition / short wavelength / all-optical modulation / relaxation time |
資料番号 | OPE98-42,LQE98-36 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 1998/7/3(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | InGaAs/AlAs量子井戸におけるサブバンド間エネルギー緩和時間の直接測定 : 短波長化サブバンド間遷移を用いた超高速光-光変調に向けて |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Direct measurement of intersubband energy relaxation time in InGaAs / AlAs quantum wells : ultrafast all-optical modulation utilizing short wavelength intersubband transitions |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | サブバンド間遷移 / intersubband transition |
キーワード(2)(和/英) | 短波長化 / short wavelength |
キーワード(3)(和/英) | 光制御光変調 / all-optical modulation |
キーワード(4)(和/英) | 緩和時間 / relaxation time |
第 1 著者 氏名(和/英) | 浅野 卓 / Takashi Asano |
第 1 著者 所属(和/英) | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Dept. of Electrical Science and Engineering, Kyoto University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 友田 勝寛 / Katsuhiro Tomoda |
第 2 著者 所属(和/英) | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Dept. of Electrical Science and Engineering, Kyoto University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 野田 進 / Susumu Noda |
第 3 著者 所属(和/英) | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Dept. of Electrical Science and Engineering, Kyoto University |
発表年月日 | 1998/7/3 |
資料番号 | OPE98-42,LQE98-36 |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 167 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |