| 講演名 | 1998/7/3 Si基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーの閾値電流の解析 ザマン カジ イクバル, 江川 孝志, 神保 孝志, 梅野 正義, |
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| 抄録(和) | MOCVD法によりドロップレットエピタキシー法を用いて成長したSi基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーの諸特性について研究を行いました。また、通常の量子井戸レーザーの特性との比較も行いました。研究したSi基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーは、高い微分利得係数β(1.65cm/A)そして、低い反転分布電流密度J_0(424A/cm^2)を示しました。このレーザーの特性温度T_0は230Kと量子井戸レーザーのものより高いものでした。これらの結果から、Si上の自己形成GaAsアイランドレーザーの信頼性は量子井戸レーザーより改善されていました。 |
| 抄録(英) | Different characteristics of the self-formed GaAs island laser on Si substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) using droplet epitaxy were studied. Also the comparison of the results with the conventional quantum well (QW) laser were presented. The studied self-formed GaAs island laser on Si substrate showed the higher gain coefficient, β (1.65cm/A) with lower transparency current density, J_0 (42.4A/cm^2). The characteristic temperature, T_0 of the self-formed GaAs island laser on Si was higher (230 K) than the conventional QW laser on Si. Also, the self-formed GaAs island laser on Si showed the improved reliability than the conventional QW laser on Si. |
| キーワード(和) | MOCVD / ドロップレットエピタキシー / アイランドレーザー |
| キーワード(英) | MOCVD / droplet epitaxy / island laser |
| 資料番号 | OPE98-40,LQE98-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/7/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Si基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーの閾値電流の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | THRESHOLD CURRENT ANALYSIS OF THE GaAs ISLAND LASER ON Si SUBSTRATE. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | ドロップレットエピタキシー / droplet epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | アイランドレーザー / island laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ザマン カジ イクバル / K.I. ZAMAN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学専攻 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / T. EGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / T. JIMBO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学都市循環システム工学専 Department of Environmental Technology and Urban Planning Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 梅野 正義 / M. UMENO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学専攻 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/7/3 |
| 資料番号 | OPE98-40,LQE98-34 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 167 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |