| 講演名 | 1998/7/3 GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価 小島 隆, 中谷 洋幸, 田中 英, 安本 英雄, 田村 茂雄, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | 電子ビーム露光法と湿式化学エッチング及び2段階OMVPE法を用いてGaInAsP/InP量子細線構造レーザを試作し、同一ウェーハ上に作製した量子薄膜レーザとの発振特性の比較を行った結果、T<200Kにおいては、量子薄膜レーザによりも低しきい値・高効率で動作することを示した。また、微分量子効率の共振器長依存性から、量子細線レーザにおける内部微分量子効率はT<200Kではほぼ100%と見積もられた。さらに100Kにおいて光利得スペクトル特性の測定を行った結果、量子細線構造レーザの媒質利得スペクトルが量子薄膜のそれより狭いことを確認した。 |
| 抄録(英) | GaInAsP/InP quantum-wire lasers were fabricated by electron-beam lithography, wet-chemical etching and 2-step organometallic vapor phase epitaxy growth, and compared with quantum-film lasers fabricated on the same wafer. As a result, better lasing properties, such as low threshold current and high defferential quantum efficiency of quantum-wire lasers over quantum-film lasers were obtained at T<200K. An internal quantum efficiency of the quantum-wire lasers was evaluated to be almost 100% up to 200K from the cavity length dependence of differential quantum efficiency. Furthermore, gain spectra of quantum-wire lasers as well as quantum-film lasers were measured. As the result, narrower material gain spectrum of quantum-wire lasers was observed at T=100K. |
| キーワード(和) | 量子細線レーザ / GaInAsP/InP / 利得スペクトル / 電子ビーム露光法 / OMVPE |
| キーワード(英) | quantum-wire laser / GaInAsP/InP / gain spectrum / electron-beam lithography / OMVPE |
| 資料番号 | OPE98-39,LQE98-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/7/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaInAsP/InP Quantum-Wire Lasers and Evaluation of Its Optical Gain Characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線レーザ / quantum-wire laser |
| キーワード(2)（和/英） | GaInAsP/InP / GaInAsP/InP |
| キーワード(3)（和/英） | 利得スペクトル / gain spectrum |
| キーワード(4)（和/英） | 電子ビーム露光法 / electron-beam lithography |
| キーワード(5)（和/英） | OMVPE / OMVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小島 隆 / Takashi KOJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中谷 洋幸 / Hiroyuki NAKAYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 英 / Suguru TANAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安本 英雄 / Hideo YASUMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田村 茂雄 / Shigeo TAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/7/3 |
| 資料番号 | OPE98-39,LQE98-33 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 167 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |