| 講演名 | 1998/8/27 転写形微小はんだバンプの形成およびその応用技術に関する検討 小勝負 信建, 恒次 秀起, 細矢 正風, 石沢 鈴子, 高原 秀行, |
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| 抄録(和) | 蒸着法で形成するはんだ膜の残留応力による素子へのダメージを軽減するため、あらかじめキャリア基板上に形成したはんだを素子の電極上に転写し、バンプ形成する技術について検討を進めた。はんだ材料は100%Inと60%Sn-Pbの2種類、バンプサイズは26μmおよび40μmで、0.5から4mm角のテストチップや電気・光デバイス上に8から546個の転写バンプを形成することが可能であった。本技術を応用することにより、様々なモジュールへの適用が可能であることを確認するとともに、転写工程を複数回行うマルチ転写形の微小はんだバンプ技術により、転写回数に対応して25～45μmのバンプ高さ方向に制御することが可能であることが分かった。 |
| 抄録(英) | To eliminate the damage that is caused by stress during vapor-phase deposition of the solder materials, we have developed a flip-chip-bonding technique that uses transferred microsolder bumps with a diameter of about 26 and 40 μm. We used solder materials of 100% In and 60% Sn-Pb in our experiments. From 9 to 546 transferred microsolder bumps were successfully formed on 0.5-to 4-mm^2 chips. By repeating the transferred process, the microsolder bump thickness from 25 to 45 μm and volume could be controlled by increasing the number of the transferred process. We confirmed the usefulness of this bonding technique to enable the many applications of various high-speed electrical and/or photonic devices in conjunction with high-density interconnections. |
| キーワード(和) | 端子間接続 / 微小はんだバンプ / 広帯域モジュール |
| キーワード(英) | interconnection / microsolder bump / broadband module |
| 資料番号 | EMD98-31, CPM98-79, OPE98-52, LQE98-46 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/8/27(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 転写形微小はんだバンプの形成およびその応用技術に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bonding technique and applications using transferred microsolder bumps |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 端子間接続 / interconnection |
| キーワード(2)（和/英） | 微小はんだバンプ / microsolder bump |
| キーワード(3)（和/英） | 広帯域モジュール / broadband module |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小勝負 信建 / Nobutatsu Koshoubu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 恒次 秀起 / Hideki Tsunetsugu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 細矢 正風 / Masakaze Hosoya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石沢 鈴子 / Suzuko Ishizawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高原 秀行 / Hideyuki Takahara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratories |
| 発表年月日 | 1998/8/27 |
| 資料番号 | EMD98-31, CPM98-79, OPE98-52, LQE98-46 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 255 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |