| 講演名 | 1998/6/16 RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長 影山 健生, 竹内 寛爾, 宮本 智之, 小山 二三夫, 伊賀 健一, |
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| 抄録(和) | 長波長帯面発光レーザの実現を目的として, 本研究ではGaInNAs/GaAs量子井戸をRFラジカルセルを用いた化学ビーム成長(CBE)法により成長し, 評価を行っている.1.3μm帯GaInNAs系面発光レーザを実現するためには, GaInNAsの結晶性の向上が必須である.今回, GaInNAs/GaAs量子井戸の結晶品質向上のためのいくつかの手法について検討した.RFラジカルセルの条件依存性を調べ, フローコンダクタンスの選択が結晶性に大きく影響することを示し, RFラジカルセルの条件の最適化を行うことで, 波長1.27μmまでのフォトルミネッセンスを得た.また, CBE法で成長したGaInNAs/GaAs量子井戸への熱アニールが結晶性の向上に大きな効果をもたらすことがわかった. |
| 抄録(英) | The GaInNAs system is expected as a new material for long wavelength vertical cavity surface emitting lasers(VCSELs). We have studied the growth of GaInNAs/GaAs quantum well structure by chemical beam epitaxy(CBE)using RF radical cell. In this paper, we investigated some approaches to improve the crystal quality of GaInNAs/GaAs quantum well. It is revealed that the choice of flow conductance of RF radical cell is important for high quality GaInNAs growth. The photoluminescence emission wavelength of 1.27μm from GaInNAs/GaAs quantum well was obtained after optimizing RF radical cell. Thermal annealing of GaInNAs grown by CBE shown to be effective to improve the crystal quality. |
| キーワード(和) | GaInNAs/GaAs量子井戸 / 化学ビーム成長法 / RFラジカルセル / 熱アニール |
| キーワード(英) | GaInNAs/GaAs quantum well / chemical beam epitaxy / RF radical cell / thermal annealing |
| 資料番号 | LQE98-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/6/16(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical Beam Epitaxy Growth of GaInNAs/GaAs Quantum Well Structures Using RF Radical Cell |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInNAs/GaAs量子井戸 / GaInNAs/GaAs quantum well |
| キーワード(2)（和/英） | 化学ビーム成長法 / chemical beam epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | RFラジカルセル / RF radical cell |
| キーワード(4)（和/英） | 熱アニール / thermal annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 影山 健生 / T. Kageyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 寛爾 / K. Takeuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 智之 / T. Miyamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / F. Koyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊賀 健一 / K. Iga |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/6/16 |
| 資料番号 | LQE98-28 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |