| 講演名 | 1998/6/16 The Quantum-Confined-Stark-Effect on the luminescence properties of InGaN/GaN/AlGaN pn junction structure , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The temperature dependence of luminescence properties was investigated on an undoped In_<0.126>Ga_<0.874>N/GaN Multiple-quantum-wells(MQW)structure and a pn junction structure(pn)using this MQW as a active layer. At a low temperature(about 20K), the emission intensity of a pn is much higher than that of MQW structure while it becomes lower than that of MQW structure at room temperature. In addition, from about 150k, it is observed that with the increase of temperature, the emission peak from pn makes much stronger redshift than that of the MQW structure, furthermore, its intensity also decreases much larger than that of the MQW structure. This behavior of the pn junction structure is attributed to the quantum-confined-stark effect due to its structure-induced electric field. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | GaN / In_xGa_<1-x>N / p-n junction / photoluminescence / localization effect / exciton |
| 資料番号 | LQE98-26 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/6/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Quantum-Confined-Stark-Effect on the luminescence properties of InGaN/GaN/AlGaN pn junction structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / T. Wang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Satellite Venture Business Laboratory |
| 発表年月日 | 1998/6/16 |
| 資料番号 | LQE98-26 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |