| 講演名 | 1998/6/16 MOVPEにおけるAs/P置換のその場エリプソ信号とその表面状態 栗原 香, 阿南 隆由, 西 研一, 菅生 繁男, |
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| 抄録(和) | MOVPEを用いた結晶成長中の表面状態を、エリプソメトリーを用いてその場観測し、InGaAs上のAs/P置換に対応するエリプソ信号に2つの成分があることを観測した。X線回折、AFM観察、TEM観察をつきあわせて詳細な解析を行った結果、これらの成分がAs/P置換された膜厚、表面荒れの深さに対応していることを実験的に見いだした。さらに光学特性の評価を行い、これらの成分の現れ方を結晶成長中に観測することで、高品質な界面を得るための成長条件の最適化が容易になることがわかった。 |
| 抄録(英) | In this report, the PH_3 purged InGaAs surface in MOVPE has been observed by using in-situ ellipsometry. As a result, two components were found in the ellipsometric signals. We have demonstrated that these ellipsometric components corresponds to the As/P exchange and surface roughness by means of X-ray diffraction, TEM and AFM photographs. We will be able to determine appropriate gas switching sequence by utilizing information from the in-situ ellipsometric observation. |
| キーワード(和) | MOVPE / エリプソメトリー / その場観測 / InGaAs / InP / As/P置換 |
| キーワード(英) | MOVPE / ellipsometry / in-situ monitoring / InGaAs / InP / As/P exchange |
| 資料番号 | LQE98-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/6/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPEにおけるAs/P置換のその場エリプソ信号とその表面状態 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | In-situ monitoring of As/P exchange on InGaAs MOVPE by means of an ellipsometry |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | エリプソメトリー / ellipsometry |
| キーワード(3)（和/英） | その場観測 / in-situ monitoring |
| キーワード(4)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(5)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(6)（和/英） | As/P置換 / As/P exchange |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 栗原 香 / Kaori Kurihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 阿南 隆由 / Takayoshi Anan |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西 研一 / Kenichi Nishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 菅生 繁男 / Shigeo Sugou |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1998/6/16 |
| 資料番号 | LQE98-24 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |