| 講演名 | 1998/6/16 MOVPE選択成長の原理と定量的解析 藤井 卓也, 江川 満, |
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| 抄録(和) | MOVPE選択成長の振る舞いを記述する理論モデルを提案し、マスクパターニングによって発生する成長速度増加とその面内分布を調べた.我々のモデルでは、MOVPE成長速度は基板表面から気相原料の平均自由行程の距離離れた位置での原料濃度に比例し、基板表面からマスクサイズなど基板表面の代表長程度の距離離れた位置で原料濃度はラテラルに一様になる.このモデルに従えば、原料の平均自由行程が基板表面の代表長に達する減圧条件下でマスクパターニングによる成長速度変調は消失する.理論モデルから導かれる成長速度分布を記述するレート方程式は、選択成長における成長速度変調の面内分布およびその成長圧力依存性を定量的に再現した. |
| 抄録(英) | We proposed a growth model which describes behavior of selective area MOVPE and investigated the growth rate enhancement produced by mask-patterning. In our model, the MOVPE growth rate is proportional to the vapor phase concentration at a distance of vapor phase mean-free path of source materials from the substrates, and the vapor phase concentration is laterally uniform at a distance of the typical surface length such as the size of mask-patterning. This model predicts that the growth rate modulation in selective area MOVPE disappears at the specific pressure at which the vapor phase mean-free path reaches the typical surface length. The rate equation developed from the growth model successfully quantitatively predicted the experimental in-plane growth rate distributions and their growth pressure dependence. |
| キーワード(和) | MOVPE / 選択成長 / 成長圧力 / マスクパターニング / InP |
| キーワード(英) | MOVPE / Selective area growth / Growth pressure / Mask-patterning / InP |
| 資料番号 | LQE98-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/6/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE選択成長の原理と定量的解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Concept and Quantitative Analysis of Selective Area MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | 選択成長 / Selective area growth |
| キーワード(3)（和/英） | 成長圧力 / Growth pressure |
| キーワード(4)（和/英） | マスクパターニング / Mask-patterning |
| キーワード(5)（和/英） | InP / InP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤井 卓也 / T. Fujii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 江川 満 / M. Ekawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/6/16 |
| 資料番号 | LQE98-23 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |