| 講演名 | 1998/6/16 レーザーアブレーションによる鉄および鉄シリサイド薄膜の作製 大越 昌幸, 劉 正新, 英 貢, |
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| 抄録(和) | レーザーアブレーションを鉄および鉄シリサイド薄膜の作製に応用した。純度99.999%、99.99%および99.7%の鉄ターゲットを用いた場合、シリコンおよび石英基板上に作製した鉄薄膜は、0.001mol/l濃度のNaCl水溶液中で耐食性を示した。ターゲット純度の低い鋳鉄を用いた場合、レーザーアブレーションによって混入した粒子が、錆び発生の原因となった。熱せられたシリコン基板上に鉄を堆積させると、半導体特性を示すβ-FeSi_2薄膜が形成できた。 |
| 抄録(英) | Using pulsed laser deposition(PLD), we deposited iron and iron disilicide thin films on silicon or quartz substrates. Using iron targets of 99.999%, 99.99% and 99.7% purity, the iron films showed no corrosion in 0.001mol/l NaCl aqueous solution. We also found that particles mixed into the films caused corrosion when a cast iron was used as a target. In addition, we formed semiconducting iron desilicide(β-FeSi_2)thin films by depositing a pure iron on silicon substrate heated to 600 to 700℃ |
| キーワード(和) | レーザーアブレーション / Fe薄膜 / 耐食性 / β-FeSi_2薄膜 |
| キーワード(英) | Laser ablation / Fe thin films / Corrosion-resistance / β-FeSi_2 thin films |
| 資料番号 | LQE98-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/6/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザーアブレーションによる鉄および鉄シリサイド薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Iron and Iron Disilicide by Laser Ablation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザーアブレーション / Laser ablation |
| キーワード(2)（和/英） | Fe薄膜 / Fe thin films |
| キーワード(3)（和/英） | 耐食性 / Corrosion-resistance |
| キーワード(4)（和/英） | β-FeSi_2薄膜 / β-FeSi_2 thin films |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大越 昌幸 / Masayuki OKOSHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学第三工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 劉 正新 / LIU Zhengxin |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学第三工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 英 貢 / Mitsugu HANABUSA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学第三工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 1998/6/16 |
| 資料番号 | LQE98-17 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |