| 講演名 | 1995/10/17 極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作 向原 智一, 羽鳥 伸明, 大軒 紀之, 松谷 晃宏, 小山 二三夫, 伊賀 健一, |
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| 抄録(和) | 面発光レーザの低消費電力化を目的として,有機金属気相成長(M0CVD)法により製作した面発光レーザの低しきい値電流,電圧動作の実現と熱特性について評価した.MOCVD成長面発光レーザにおいてしきい値電流70μAの動作を確認した.製作したデバイスの熱抵抗の評価より活性層径の微小化に伴い,発熱量が増大することが分かった.今後極微構造化を進める上で,非発光再結合電流の抑制と抵抗の低減が重要な課題であることを示した.また極微化により10μA以下の極低しきい値動作の可能性を示し,面発光レーザが低消費電力デバイスとして将来の光インターコネクション等への応用が期待されることを示した. |
| 抄録(英) | A low threshold InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) array may be one of candidates for future optoelectronics including parallel optical interconnects and optical light communications. In this letter, we have shown some lasing characteristics of VCSELs with mesa-etched structure and oxide confinement structure. We have achieved 0.33 mA threshold in mesa-etched VCSEL and 70 μA in oxide confinement one. To reduce the resistance of p-type GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors of VCSELs, we theoretically point out that the heavily doping into the wide band-gap layer is very effective. We have experimentally demonstrated a high Zn doping in AlAs by metal organic chemical vapor deposition. A re-activation of Zn acceptors is realized by N_2 annealing and the maximum hole concentration of 7×10^18cm^<-3> for AlAs is obtained. These low power consumption performances are essential for future 2-D optical systems with density packed VCSELs. |
| キーワード(和) | 面発行レーザ / 低しきい値 / 低消費電力 / 自然酸化 / 光インターコネクション / 水素パッシベーション |
| キーワード(英) | vertical-cavity surface-emitting laser / low threshold / low power consumption / Native Oxide |
| 資料番号 | LQE95-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1995/10/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A low threshold operation of micro-cavity InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発行レーザ / vertical-cavity surface-emitting laser |
| キーワード(2)（和/英） | 低しきい値 / low threshold |
| キーワード(3)（和/英） | 低消費電力 / low power consumption |
| キーワード(4)（和/英） | 自然酸化 / Native Oxide |
| キーワード(5)（和/英） | 光インターコネクション |
| キーワード(6)（和/英） | 水素パッシベーション |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 向原 智一 / T. Mukaihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学,精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision & Intelligence Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 羽鳥 伸明 / N. Hatori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学,精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision & Intelligence Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大軒 紀之 / N. Ohnoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学,精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision & Intelligence Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松谷 晃宏 / A. Matsutani |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学,精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision & Intelligence Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / F. Koyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学,精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision & Intelligence Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊賀 健一 / K. Iga |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学,精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision & Intelligence Laboratory |
| 発表年月日 | 1995/10/17 |
| 資料番号 | LQE95-85 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 294 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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