| 講演名 | 1995/5/26 酸素イオン注入によるII-VI族青緑色レーザ 吉井 重雄, 横川 俊哉, 大川 和宏, 辻村 歩, 佐々井 洋一, |
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| 抄録(和) | 酸素イオンの打ち込みによって形成した高抵抗領域を電流狭窄層として用い、青緑色レーザの室温発振に成功した。レーザエピ構造はGaAs基板上に成長したZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe(SQW-SCH)構造を用い、電流狭窄層は、ストライプマスクを用いて選択的に酸素イオンの打ち込みを行い形成した。注入条件は加速電圧90kV、ドーズ量1×10^<13>cm^<-2>で、本条件により約0.14μmの高抵抗領域が形成できた。このレーザ構造によって、しきい値電流約80mA(4.4kA/cm^2)、発振波長517nmの室温パルス発振が得られた。 |
| 抄録(英) | Blue-green II-VI laser with current confinement by oxygen ion-implantation has been achieved for the first time. The laser structures consisted of ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe (SQW-SCH). Oxygen ions were implanted with a dose of 1×10^<13>cm^<-2> at an energy of 90kV to produce a high-resistivity regions with a depth of approximately 0.14μm in contact layer. The oscillation wavelength was 517nm and the threshold current was 80mA at room temperature. |
| キーワード(和) | 青緑色レーザ / II-VI族化合物 / 酸素イオン注入 / 電流狭窄 |
| キーワード(英) | Blue-green laser / II-VI compounds / oxygen ion-implantation / current confinement |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1995/5/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸素イオン注入によるII-VI族青緑色レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Blue-Green II-VI Laser Fabricated by Oxygen Ion-Implantation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 青緑色レーザ / Blue-green laser |
| キーワード(2)（和/英） | II-VI族化合物 / II-VI compounds |
| キーワード(3)（和/英） | 酸素イオン注入 / oxygen ion-implantation |
| キーワード(4)（和/英） | 電流狭窄 / current confinement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉井 重雄 / S. Yoshii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Matsushita Electric Ind. Co., Ltd., Semiconductor Research Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 横川 俊哉 / T. Yokogawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Matsushita Electric Ind. Co., Ltd., Semiconductor Research Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大川 和宏 / K. Ohkawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Matsushita Electric Ind. Co., Ltd., Semiconductor Research Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 辻村 歩 / A. Tsujimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Matsushita Electric Ind. Co., Ltd., Semiconductor Research Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々井 洋一 / Y. Sasai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Matsushita Electric Ind. Co., Ltd., Semiconductor Research Center |
| 発表年月日 | 1995/5/26 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |