| 講演名 | 1995/5/26 可飽和吸収層を有する低雑音・高出力半導体レーザ 林 伸彦, 後藤 壮謙, 井手 大輔, 茨木 晃, 吉年 慶一, 新名 達彦, |
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| 抄録(和) | 書き込み可能な光ディスク用光源として、高周波重畳回路不要で低雑音かつ高出力の半導体レーザが要望されている。我々は、低雑音化を図るため、活性層とバンドギャップがほぼ等しい可飽和吸収層を活性層近傍に導入し、さらに高出力化・低動作電流化を図るため、多重量子井戸構造の活性層ならびにGaAlAs電流ブロック調を採用したGaAlAsレーザを作製した。光出力20mWまで自励発振、最大光出力180mWの高出力特性をはじめて実現することができた。 |
| 抄録(英) | Low-noise, high-power GaAlAs lasers without a high-frequency superimposed modulator are strongly desired as light sources for recordable optical disk systems. Low-noise, high-power GaAlAs lasers were achieved for the first time, due to a new structure with a saturable absorbing layer and a GaAlAs current blocking layer. An output power of 180mW and self-sustained pulsation up to 20mW were obtained. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 自励発振 / 可飽和吸収層 / 多重量子井戸 / GaAlAs |
| キーワード(英) | semiconductor laser / self-sustained pulsation / saturable absorbing layer / multi quantum well / GaAlAs |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1995/5/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 可飽和吸収層を有する低雑音・高出力半導体レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-noise, high-power laser diode with a saturable absorbing layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 自励発振 / self-sustained pulsation |
| キーワード(3)（和/英） | 可飽和吸収層 / saturable absorbing layer |
| キーワード(4)（和/英） | 多重量子井戸 / multi quantum well |
| キーワード(5)（和/英） | GaAlAs / GaAlAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 伸彦 / N. Hayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 後藤 壮謙 / T. Goto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井手 大輔 / D. Ide |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 茨木 晃 / A. Ibaraki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉年 慶一 / K. Yodoshi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 新名 達彦 / T. Niina |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1995/5/26 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |