| 講演名 | 1996/6/18 InAlAs/InAlGaAs 4元井戸超格子APD 渡邊 功, 辻 正芳, 林 雅子, 牧田 紀久夫, 田口 剣申, |
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| 抄録(和) | 2.5～10Gb/sで小型・高感度な光受信器を構成できるものとして期待される高速・低暗電流なInAlAs/InAlGaAs4元井戸超格子アバランシェフォトダイオード(APD)の設計・特性について報告する。利得帯域幅積(GB積)120～150GHz、最大3dB帯域15GHz、増倍暗電流6～20nAと良好な特性を得た。さらに、素子内部の電界プロファイル設計により、メサ型構造で推定寿命10万時間(@50℃)という実用可能レベルの信頼性を初めて得た。一方、さらなる高信頼化をめざし、Tiガードリングを有する新規プレーナ構造を提案、基本動作を実証した。 |
| 抄録(英) | InAlAs/InAlGaAs quaternary well superlattice avalanche photodiodes (SL-APDs) are suitable for 2.5-10Gb/s compact and high-sensitivity optical receivers because they have very high-speed and low-dark current characteristics. Here we summarize a design and recent experimental results on the SL-APDs. A gain-bandwidth product of 120-150 GHz, a maximum 3-dB bandwidth of 15 GHz, and a multiplied dark current of 6-20 nA have been achieved. By designing a electric field profile, a lifetime as long as 1×10^5 hours was realized in a mesa-structure device for the first time. In order to improve reliability, a new planar-structure with a Ti-implanted guard-ring was proposed and demonstrated. |
| キーワード(和) | 超格子 / アバランシェフォトダイオード / 利得帯城幅積 / 推定寿命 / メサ型 / プレーナ型 |
| キーワード(英) | superlattice / avalanche photodiode / gain bandwidth product / life time / mesa / planar |
| 資料番号 | LQE96-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1996/6/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAlAs/InAlGaAs 4元井戸超格子APD |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InAlAs/InAlGaAs Quaternary Well Superlattice APD's |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超格子 / superlattice |
| キーワード(2)（和/英） | アバランシェフォトダイオード / avalanche photodiode |
| キーワード(3)（和/英） | 利得帯城幅積 / gain bandwidth product |
| キーワード(4)（和/英） | 推定寿命 / life time |
| キーワード(5)（和/英） | メサ型 / mesa |
| キーワード(6)（和/英） | プレーナ型 / planar |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邊 功 / I. Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Res. Labs., NEC Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 辻 正芳 / M. Tsuji |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Res. Labs., NEC Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 林 雅子 / M. Hayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Res. Labs., NEC Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 牧田 紀久夫 / K. Makita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Res. Labs., NEC Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田口 剣申 / K. Taguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Res. Labs., NEC Corp. |
| 発表年月日 | 1996/6/18 |
| 資料番号 | LQE96-21 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 98 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |