| 講演名 | 1996/12/10 直接遷移型GaAs/AlAs半導体超格子のPL特性に対するX準位の影響 大谷 直毅, 細田 誠, 三村 秀典, |
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| 抄録(和) | 電場下における直接遷移型GaAs/AlAs半導体超格子の光学的特性に対するX準位の影響を検討した.その結果X1-Γ2共鳴の起こる電界においてX準位のシェルタルク段階遷移に伴い青色シフトするPL発光を観測した.そのPLはX1-Γ2共鳴の起こる電界で最大強度となる.キャリア掃き出しがX1-Γ2共鳴によって改善されることも観測した.これらの結果は直接遷移型超格子の光学特性がX準位に強く影響されることを示すものである. |
| 抄録(英) | We report the influence of X states on the optical properties of type-I GaAs/AlAs semiconductor superlattices. We observed Stark ladder photoluminescence (PL) in some X states originating from X1-Γ2 mixing. The PL line exhibits a linear blue shift corresponding to one half the period of the super-lattice with increasing bias voltage. The PL intensity then becomes maximum when the X1-Γ2 mixing occurs. Carrier sweep-out from the X states is drastically improved by the X1-Γ2 mixing. These results demonstrate that optical properties even in type-I superlattices are seriously affected by the mixing of X states with a higher Γ subband under an electric field. |
| キーワード(和) | GaAs/AlAs直接遷移型超格子 / X準位 / Γ-X共鳴 / X1-Γ2共鳴 / シェルタルク階段PL |
| キーワード(英) | GaAs/AlAs type-I superlattices / X states / Γ-X mixing / X1-Γ2 mixing / Stark ladder photoluminescence |
| 資料番号 | LQE96-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1996/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 直接遷移型GaAs/AlAs半導体超格子のPL特性に対するX準位の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of X states on photoluminescence in type-I CaAs/AlAs semiconductor superlattices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs/AlAs直接遷移型超格子 / GaAs/AlAs type-I superlattices |
| キーワード(2)（和/英） | X準位 / X states |
| キーワード(3)（和/英） | Γ-X共鳴 / Γ-X mixing |
| キーワード(4)（和/英） | X1-Γ2共鳴 / X1-Γ2 mixing |
| キーワード(5)（和/英） | シェルタルク階段PL / Stark ladder photoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大谷 直毅 / Naoki Ohtanil |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ART環境適応通信研究所 ATR Adaptive Communications Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 細田 誠 / Makoto Hosoda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ART光電波通信研究所 ATR Optical and Radio Communications Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三村 秀典 / Hidenori Mimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1996/12/10 |
| 資料番号 | LQE96-119 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 399 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |