| 講演名 | 1996/12/10 GaAs横方向P-n接合の近接場光学顕微鏡による発光特性評価 斎藤 信雄, 佐藤 史郎, 滝沢 國治, 斎木 敏治, 大津 元一, |
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| 抄録(和) | GaAs段差加工基板上へのp領域とn領域との同時形成技術は,高品質のp-n接合を形成する技術として有望であるが,従来の評価法では空間的な分解能が不十分なため,接合の微視的な品質を鮮明できなかった.今回,高い空間分解能で光学的特性と表面形状を同時に測定できる近接場光学顕微鏡を用い,横方向p-n接合の発光特性を評価した.その結果,フォトルミネセンス特性の位置による変化から定めたp領域からn領域への遷移領域の幅が,段差の上端に形成される接合では1.8μmであったのに比べて,下端に形成される接合では5.5μmと広いのに対して,電流注入発光強度の空間分布から見た接合の幅は両接合に関して1.1μmと同じ値であることがわかった. |
| 抄録(英) | Simultaneous fabrication of p- and n-type regions on GaAs pattered substrates is expected to give high-quality p-n junctions. However, their microscopic quality remained unclear due to the unsatisfactory spatial resolution of conventional characterization methods. A near-field optical microscope is utilized for the first time for the optical characterization of lateral p-n junctions. Its high spatial resolution in the measurements of optical properties and surface morphology revealed: 1) The width of the transition region between the p-type and then n-type regions, determined from photoluminescence measurement, was 1.8μm for the junction formed at the upper end of the slope, while 5.5μm for the one at the lower end. 2) On the other hand, the width of the junctions determined from the distribution of light emulsion through current injection, was 1.1μm for both junctions. |
| キーワード(和) | 面発光素子 / p-n接合 / GaAs / MBE / 近接場光学顕微鏡 |
| キーワード(英) | Surface light emitting device / p-n junction / GaAs / MBE / Near-field optical microscope |
| 資料番号 | LQE96-118 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1996/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs横方向P-n接合の近接場光学顕微鏡による発光特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optical characterization of GaAs lateral p-n junctions using a near-field optical microscope |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発光素子 / Surface light emitting device |
| キーワード(2)（和/英） | p-n接合 / p-n junction |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | 近接場光学顕微鏡 / Near-field optical microscope |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斎藤 信雄 / N. SAITO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NHK放送技術研究所 NHK Science and Technical Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 史郎 / F. SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NHK放送技術研究所 NHK Science and Technical Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 滝沢 國治 / K. TAKIZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NHK放送技術研究所 NHK Science and Technical Research Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 斎木 敏治 / T. SAIKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 神奈川科学技術アカデミー Kanagawa Academy of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大津 元一 / M. OHTSU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1996/12/10 |
| 資料番号 | LQE96-118 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 399 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |