| 講演名 | 1996/10/8 量子細線構造の面発光レーザへの適用と基礎形成技術の検討 羽鳥 伸明, 水谷 章成, 小山 二三夫, 伊賀 健一, |
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| 抄録(和) | 大規模光インターコネクト用の光源として期待される面発光レーザに, 量子細線構造を導人するための基礎検討を行った. まず, 理論解析から, 量子細線構造を活性層として用いることにより, 100A/cm^2を下回る低しきい値電流密度動作の可能性を示した. V溝を持つGaAs基板上に, 減圧有機金属気相成長法を用いてInGaAs量子細線構造を製作し, フォトルミネッセンス測定と電流注入型発光ダイオードの強度測定から, 面発光レーザの偏波制御の可能性を示した. |
| 抄録(英) | We have investigated a basic design and fabrication of quantum wires (QWRs) for the purpose of the reducing threshold of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). A structure of QWR VCSELs is considered for low-threshold operation and a threshold current density of 100A/cm^2 is estimated. We fabricated QWRs on V-grooved substrates by using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Polarization anisotropy was observed from fabricated devices in both photoluminescence and current injection luminescence. |
| キーワード(和) | 面発光レーザ / 量子細線 / 偏波 / 有機金属気相成長法 |
| キーワード(英) | surface-emitting laser / quantum wire / polarization / metal-organic chemical vapor deposition |
| 資料番号 | LQE96-87 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1996/10/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 量子細線構造の面発光レーザへの適用と基礎形成技術の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of Quantum Wire Structure to Surface-Emitting Lasers and Investigation on Fabrication Technique of Quantum Wire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発光レーザ / surface-emitting laser |
| キーワード(2)（和/英） | 量子細線 / quantum wire |
| キーワード(3)（和/英） | 偏波 / polarization |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属気相成長法 / metal-organic chemical vapor deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 羽鳥 伸明 / Nobuaki HATORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水谷 章成 / Akimasa MIZUTANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / Fumio KOYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伊賀 健一 / Kenichi IGA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1996/10/8 |
| 資料番号 | LQE96-87 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |