| 講演名 | 1998/2/17 GaNナノコラムの作製と量子ディスク構造への応用 吉澤 正樹, 菊地 昭彦, 岸野 克己, |
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| 抄録(和) | RF-MBE法を用いて柱状GaN微細構造(GaNナノコラム)を(0001)サファイア基板上に自己形成した。GaNナノコラムの自己形成のためには、AINバッファの積層時間とGaN成長時のV/III比の制御が重要であることがわかった。V/III比を制御することにより得られたGaNナノコラムの最小直径は41nmであった。この自己形成技術を利用して平均直径46nmのGaNナノコラムの上部に、10周期のGaN (6nm)/Al_<0.18>Ga_<0.82>N (9nm)多重量子ディスク構造を作製した。量子サイズ効果によるPLピークの短波長化が確認され、GaN量子ディスクが形成されたと考えられる。 |
| 抄録(英) | GaN nanostructures (GaN nano-column) were self-organized on (0001 Al_2O_3 by rf-radical source molecular beam epitaxy (RF-MBE). An averaged diameter of GaN nano-column was minimized to 41nm by the control of V/III supply ratio. Self-organization process of GaN nano-column was applied for the fabrication of GaN/Al_<0.18>Ga_<0.82>N multi quantum disk (MQD). The GaN nano-columns with an average diameter of 46nm was fabricated, in which the 10pair of GaN (6nm)/Al_<0.18>Ga_<0.82>N (9nm) multi-layer structure was built-in to form quantum disks. The blue-shift in a photoluminescence (PL) peak wavelength at room temperature was observed for the MQD sample, probably due to the quantum-size effect. |
| キーワード(和) | GaNナノコラム / 自己形成法 / RF-MBE / GaN量子ディスク / 多重量子ディスク |
| キーワード(英) | GaN nano-column / Self-organization / RF-MBE / GaN quantum disk / Multi Quantum Disks |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1998/2/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNナノコラムの作製と量子ディスク構造への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaN nano-columns and application for GaN quantum disk |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaNナノコラム / GaN nano-column |
| キーワード(2)（和/英） | 自己形成法 / Self-organization |
| キーワード(3)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| キーワード(4)（和/英） | GaN量子ディスク / GaN quantum disk |
| キーワード(5)（和/英） | 多重量子ディスク / Multi Quantum Disks |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉澤 正樹 / M. Yoshizawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菊地 昭彦 / A. Kikuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸野 克己 / K. Kishino |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 発表年月日 | 1998/2/17 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 543 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |