講演名 | 1997/10/14 逆メサ光入射端面を有する高効率、低電圧動作の端面光入射屈折型フォトダイオード 深野 秀樹, 幸前 篤郎, 加藤 和利, 中島 長明, |
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抄録(和) | 側方からの入射光が傾斜端面で屈折し、上方の薄い吸収層で受光される新型の端面光入射屈折型フォトダイオード(RFPD)を製作、評価した。屈折した光が吸収層に対し斜めに通過するため、吸収層が薄いにもかかわらず吸収長は実効的に増大し、その結果、内部量子効率が増大する。製作した吸収層厚1.5μmのRFPDは、シングルモードファイバに対してバイアス電圧0.5Vにおいて受光感度0.95A/Wの大きな値を示した。受光感度が1dB低下するミスアライメントトレランスは水平方向33μm、垂直方向9.5μmと大きな値が得られた。3dB帯域は6GHz以上であった。このように、RFPDが極めて高いポテンシャルを有することが明らかとなった。 |
抄録(英) | We demonstrate a novel edge-illuminated refracting-facet photodiode (RFPD), in which the incident light parallel to the up-side surface is refracted at an inwardly angled facet and absorbed in a thin absorption layer. Although the absorption layer is thin, the absorption length is effectively increased by making the light transit at a certain angle to the absorption layer, resulting in an increase in internal quantum efficiency. The fabricated RFPDs with an absorption layer thickness of 1.5μm show a responsivity as high as 0.95A/W even at a bias voltage of 0.5V for a flat-ended single mode fiber. The 3-dB band-width of more than 6GHz is obtained. |
キーワード(和) | フォトダイオード / PD / 端面光入射 / 屈折 / 逆メサ端面 / 高感度 |
キーワード(英) | photodiode / edge-illuminated / refracting-facet / angled facet / high-responsivity |
資料番号 | LQE97-67-83 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 1997/10/14(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 逆メサ光入射端面を有する高効率、低電圧動作の端面光入射屈折型フォトダイオード |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High-Responsivity and Low-Operation-Voltage Edge-Illuminated Refracting-Facet Photodiodes with an Inwardly Angled Facet |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | フォトダイオード / photodiode |
キーワード(2)(和/英) | PD / edge-illuminated |
キーワード(3)(和/英) | 端面光入射 / refracting-facet |
キーワード(4)(和/英) | 屈折 / angled facet |
キーワード(5)(和/英) | 逆メサ端面 / high-responsivity |
キーワード(6)(和/英) | 高感度 |
第 1 著者 氏名(和/英) | 深野 秀樹 / H. Fukano |
第 1 著者 所属(和/英) | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronices Laboratories |
第 2 著者 氏名(和/英) | 幸前 篤郎 / A. Kozen |
第 2 著者 所属(和/英) | NTTエレクトロニクス NTT Electronics |
第 3 著者 氏名(和/英) | 加藤 和利 / K. Kato |
第 3 著者 所属(和/英) | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronices Laboratories |
第 4 著者 氏名(和/英) | 中島 長明 / O. Nakajima |
第 4 著者 所属(和/英) | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronices Laboratories |
発表年月日 | 1997/10/14 |
資料番号 | LQE97-67-83 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 313 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |