| 講演名 | 1997/8/21 低しきい値、高効率特性テーパ活性ストライプ型1.3μm帯狭放射角レーザ 稲葉 雄一, 鬼頭 雅弘, 石野 正人, 知野 豊治, 西川 透, 宇野 智昭, 松井 康, |
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| 抄録(和) | アクセス系光ファイバネットワークにおいて重要となる受光/発光デバイスの低コスト化のためには、狭いビーム放射角を有する半導体レーザの実現が重要である。我々は、付加的なビーム変換領域を必要とせず、通常の光通信用半導体レーザと同一のプロセスで作製可能となる、水平テーパ状の活性ストライプを有する半導体レーザを新たに提案した。さらに、1.3μm帯半導体レーザにおいてこのテーパ活性ストライプを適用し、高温特性改善を目的として活性層構造について検討を行った。その結果、低しきい値、高効率かつ狭放射角特性を実現するための設計方針を明らかにするとともに、85℃において、～18mA、～0.4mW/mAのしきい値電流、スロープ効率が得られ、高温における低しきい値、高効率特性が実現できた。 |
| 抄録(英) | Semiconductor lasers with narrow beam divergence are strongly required for low cost laser modules in an access network. We have already demonstrated a novel laser structure with an active stripe horizontally tapered over whole cavity. In this paper, we have designed the MQW structure to improve high temperature characteristics maintaining narrow beam divergence. As a result, a low threshold current (～18 mA) and a high slope efficiency (～0.4 mW/mA) at 85℃ with narrow beam divergence (～12°) was obtained. |
| キーワード(和) | 光アクセス系 / テーパ活性ストライプ / 狭放射角 / 高温度特性 |
| キーワード(英) | access network / tapered-active-stripe / narrow beam divergence / high temperature characteristics |
| 資料番号 | LQE97-55 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1997/8/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低しきい値、高効率特性テーパ活性ストライプ型1.3μm帯狭放射角レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.3 μm tapered-active-stripe laser with low threshold and high slope efficiency |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光アクセス系 / access network |
| キーワード(2)（和/英） | テーパ活性ストライプ / tapered-active-stripe |
| キーワード(3)（和/英） | 狭放射角 / narrow beam divergence |
| キーワード(4)（和/英） | 高温度特性 / high temperature characteristics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 稲葉 雄一 / Y. Inaba |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Corporate Research & Development, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鬼頭 雅弘 / M. Kito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Corporate Research & Development, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石野 正人 / M. Ishino |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Corporate Research & Development, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 知野 豊治 / T. Chino |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Corporate Research & Development, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西川 透 / T. Nishikawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Corporate Research & Development, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宇野 智昭 / T. Uno |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Corporate Research & Development, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松井 康 / Y. Matsui |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Corporate Research & Development, Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 1997/8/21 |
| 資料番号 | LQE97-55 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 237 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |