| 講演名 | 1997/6/17 化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用 宮本 智之, 竹内 寛爾, 小山 二三夫, 伊賀 健一, |
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| 抄録(和) | 次世代光ネットワークシステムの光源として長波長帯面発光レーザの実現が望まれている. 本研究ではGaINAs/GaAs系材料の適用を検討し, GaInNAs面発光レーザ構造の提案と設計, および, 化学ビーム成長(CBE)法によるGaInNAsの初期的な成長を行なった. InGaAs/GaAs面発光レーザと同様な構造を実現可能であり, 300A/cm^2以下のしきい値電流密度と200Kの特性温度が期待でき, 提案する新構造GaInNAs/GaAs量子井戸により長波長化も容易となる. CBE法によるGa(In)NAsの成長では, NラジカルによるN導入を行ない, 成長した試料よりGaNAsのボーイングパラメータの推定を行なった. また, GaInNAs/GaAs量子井戸においては最長1.2μmまでのフォトルミネッセンスを得た. |
| 抄録(英) | A long wavelengh(1.3-1.55μm) vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) is expected as a light source for use in newera lightwave systems. In this paper, we propose a GaInNAs/GaAs VCSEL and investigate GaInNAs material grown by chemical beam epitaxy(CBE). The GaInNAs/GaAs VCSEL is estimated to have a threshold current density of less than 300A/cm^2 and a characteristic temperature To over 200K. The emission wavelengh is elongated by a proposed novel GaInNAs/GaAs quantum well structure. Experimentaly, we sucseeded in GaInNAs growth by CBE and estimated the bandgap bowing parameter of GaNAs. The GaInNAs/GaAs QW structure was also grown and we obtained a 1.2μm wavelength emission by photoluminescence measument. |
| キーワード(和) | GaInNAs / 化学ビーム成長法 / 面発光レーザ / 量子井戸 |
| キーワード(英) | GaInNAs / chemical beam epitaxy / surface emitting laser / quantum well |
| 資料番号 | LQE97-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1997/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical Beam Epitaxy of GaInNAs/GaAs and its Application to Long-Wavelength Surface Emitting Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInNAs / GaInNAs |
| キーワード(2)（和/英） | 化学ビーム成長法 / chemical beam epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 面発光レーザ / surface emitting laser |
| キーワード(4)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮本 智之 / T Miyamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intteligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 寛爾 / K Takeuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intteligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / F Koyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intteligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伊賀 健一 / K Iga |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intteligence Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/6/17 |
| 資料番号 | LQE97-27 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 100 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |