| 講演名 | 1997/6/17 InP基板上のZnCdSeの成長 岩田 普, 難波江 宏一, 屋敷 健一郎, |
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| 抄録(和) | 2成長室MBEを用いてInP基板上にInGaAsバッファー層とZnCdSe層とを一貫成長し, 窒素及び塩素のドーピング特性を調べた. ZnCdSe層の2結晶X線回折ピークの半値幅は最小42秒と良好であった. RFプラズマを用いた窒素ドーピングを行い, ZnCdSe:N結晶でp型伝導を初めて確認した. 実効アクセプター濃度は, 最大でNa-Nd=3.5x10^<16>cm^<-3>を得た. ZnCl_2を用いてClドーピングを行い, n型キャリア濃度を3x10^<16>～7x10^<18>cm^<-3>の範囲で制御出来る事を確認した. |
| 抄録(英) | InGaAs buffer layers and ZnCdSe layers were grown on InP substrates by two growth chamber MBE system. Nitrogen doping and chlorine doping were investigated. The X-ray diffraction peak's full width at half maximum for ZnCdSe layer was 42 arcseconds. RF plasma was used for nitrogen doping and ZnCdSe:N layers showed p-type conductivity. Net acceptor concentration was 3.5x10^<16>cm^<-3>. ZnCl_2 was used for chlorine doping and n-type carrier concentrations from 3x10^<16> to 7x10^<18>cm^<-3> were obtained. |
| キーワード(和) | II-VI / ZnCdSe / MBE / ドーピング |
| キーワード(英) | II-VI / ZnCdSe / MBE / doping |
| 資料番号 | LQE97-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1997/6/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP基板上のZnCdSeの成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of ZnCdSe on InP substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | II-VI / II-VI |
| キーワード(2)（和/英） | ZnCdSe / ZnCdSe |
| キーワード(3)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(4)（和/英） | ドーピング / doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩田 普 / H Iwata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Res. Labs., NEC Co. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 難波江 宏一 / K Naniwae |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Res. Labs., NEC Co. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 屋敷 健一郎 / K Yashiki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Res. Labs., NEC Co. |
| 発表年月日 | 1997/6/17 |
| 資料番号 | LQE97-21 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 100 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |